삼성전자, FMS 2026서 2관왕…V낸드·PIM 메모리 모두 인정받았다

▲삼성전자는 FMS Award 시상식에서 V10 BV‑NAND와 LPDDR5X‑PIM으로 FMS Best of Show Award를 수상했으며 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 각각 대표로 수상했다. (사진=삼성전자)

삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스 'FMS 2026'에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 어워드'에서 2개 부문을 석권했다. 차세대 낸드플래시와 지능형 메모리 기술을 동시에 인정받았다.

삼성전자는 'V10 BV-낸드(NAND)'로 3D 낸드 혁신상을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상을 각각 수상했다고 6일 밝혔다.

V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 '본딩 버티컬(BV)' 기술과 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용해 저장 용량을 끌어올리면서도 전력 소비와 발열은 줄였다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램 LPDDR5X에 PIM(프로세싱 인 메모리) 기술을 세계 최초로 접목한 차세대 메모리다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화, 성능과 전력 효율을 동시에 잡았다. AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등에 쓰일 핵심 기술로 꼽힌다.