SK하이닉스, 소비전력 줄이고 동작속도 높인 모바일 D램 개발

▲최근 판매를 시작한 SK하이닉스의 초저전력 LPDDR5X (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스는 모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용한 차세대 공정이다. 누설 전류를 막고 정전용량을 개선해 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스에 따르면 이번 LPDDR5X는 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작속도를 구현한다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는데 성공했다.

모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 낮은 전력 소비가 최대 관건이다. 모바일의 경우 전력이 한정돼 있어 제품의 사용 시간을 늘리기 위해선 전력소비를 최대한 줄여야 한다.

LPDDR5X를 통해 D램의 소비전력이 더욱 낮아지면서 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다.

현재 DDR은 DDR5로 5세대까지, LPDDR은 5X로 7세대(1-2-3-4-4X-5-5X 순)까지 개발됐다.

SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 단품 칩을 여러 개 결합해 만든 16GB(기가바이트)의 패키지를 시장에 출시했다. 패키지 제품의 데이터 처리속도는 초당 68GB로, FHD(풀HD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스 관계자는 “지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산한 데 이어 올해 업계 최고 속도의 LPDDR5X를 개발해 메모리 반도체의 절대 강자임을 다시 한 번 보여줬다”고 말했다.