삼성전자 세계 최초 40나노 DDR2 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노: 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발해 원가경쟁력을 확보에 한 발 더 나아갔다.

40나노급 1기가 DDR2 제품 개발은 반도체 업황이 바닥을 확인했다는 분위기가 조성되고 있는 가운데 나온 것이어서 향후 업황 개선시 삼성전자의 빠른 수익 개선도 기대된다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해 40나노급 2기가 DDR3 제품도 올해 개발을 완료하고 양산에도 들어갈 계획이다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 전망된다.

또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만 아니라 저전력․저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다.

따라서 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경ㆍ고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량ㆍ고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.