삼성전자, 3차원 메모리 ‘독주’… 세계 최초 3세대 ‘256Gb V낸드’ 양산 성공

저장용량 2배 ↑ㆍ소비전력 30% ↓… 적극적 투자로 '테라 SSD 대중화' 가속

삼성전자가 3차원 메모리반도체 시장 독주 체제를 굳히고 있다. 용량과 절전 효과, 생산성을 동시 향상시킨 3차원 메모리 기술 혁신을 통해 메모리반도체 시장 지배력을 확대해 나가고 있다.

삼성전자는 세계 최초로 3세대(48단) ‘256Gb 3차원 V낸드’양산에 성공했다고 11일 밝혔다. 이 제품은 기존 2세대(32단) 128Gb 낸드보다 용량을 2배 높인 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.

데이터를 저장하는 3차원 셀을 2세대보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대 V낸드 기술’이 적용된 256Gb V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32GB 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.

또한 기존 128Gb 낸드가 적용된 SSD(솔리드스테이트 드라이브)와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 ‘테라 SSD 대중화’를 위한 최적의 솔루션을 제공한다.

현재까지 V낸드를 양산한 업체는 삼성전자가 유일하다. 삼성전자는 지난해 8월 2세대 3비트 V낸드를 생산한지 1년만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산함으로써 3차원 메모리 기술 리더십을 더욱 확고히 했다.

3세대 V낸드는 셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 후 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시킨다. 각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 이번 256Gb V낸드는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는데 크게 기여할 것으로 기대된다.

특히 3차원 원통형 CTF 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다. 또한 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가경쟁력도 대폭 강화했다.

삼성전자는 지난달 2TB SSD 제품 출시를 시작으로 본격 추진하고 있는 ‘테라 SSD 대중화’를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다. 더불어 엔터프라이즈 및 데이터센터 시장 확대를 위해 세계 각국 현지 기업에 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 방침이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 밝혔다.