[하이닉스 컨콜]올해 4조원 후반대 투자… "내년은 더 늘어날 것"

(사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 올해 총 4조원 후반대의 투자를 집행할 것으로 보인다.

SK하이닉스는 23일 3분기 실적발표 후 콘퍼런스콜을 진행했다. 이날 김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장(사장)은 “3분기까지 3조9000억원을 집행했고, 경기도 이천 반도체공장(M14) 3000억원 투자를 비롯해 4분기에도 일정부분 지출이 예상된다”며 “올해 전체 4조원 후반대 투자가 예상된다”고 말했다.

SK하이닉스는 내년 여름 M14가 완공되면 기존 생산라인인 M10에서 장비를 이전할 계획이다. 여기에 D램과 낸드플래시의 미세고정 전환으로 내년도 투자는 올해보다 늘어날 것으로 회사 측은 내다보고 있다.

이 과정에서 약 2만장(웨이퍼 기준)의 생산능력(캐파) 손실이 예상될 것으로 전망했다. 회사는 이를 위해 선제적인 투자를 통해 캐파를 확보한다는 전략이다.

김 사장은 “기존 M10 라인에서 M14 라인으로 장비를 옮기는 데 1~2개월이 아닌 상당 기간이 소요될 예정”이라며 “생산량 손실에 대비해 (웨이퍼) 2만장 정도 선투자를 시행할 것”이라고 밝혔다. 이어 “이에 따라 2015년에도 캐파 증가는 없을 것”이라며 “2016년에도 장비 이동이 완료되더라도 전체적인 생산능력 증가를 가져오리라고는 생각하지 않는다”고 덧붙였다.

SK하이닉스는 이날 오전 당초 이천 M14 신규라인에 1조8000억원을 투자하려던 계획을 수정, 3000억원이 증액된 2조1000억원을 투자하기로 결정했다고 공시했다.

내년 투자계획과 관련해서 김 사장은 “현재 2015년 경영 계획을 짜고 있기 때문에 투자규모에 관한 구체적인 숫자를 밝힐 수 없다”고 설명했다.

SK하이닉스는 올해 안에 20나노 초반대 D램 미세공정 개발을 완료하겠다는 계획도 밝혔다.

김 사장은 “내년 시장 대응을 위해 연내 20나노 초반 공정 개발을 완료할 계획”이라며 “내년부터 양산에 돌입해 고객사에게 제품을 공급할 것”이라고 말했다. 이어 “D램의 경우 4분기부터 20나노 중반대 공정을 서버, 모바일 등으로 확대해 15% 출하량을 늘릴 것”이라며 “낸드플래시는 1x 나노 추가 전환을 통해 25%가량의 출하량 증가가 예상된다”고 덧붙였다.

4분기 시장전망과 관련해선 “4분기 D램 출하량은 10% 중반, 낸드는 20% 중반의 성장률을 기록할 것”이라며 “4분기 원가절감과 수익성을 개선하기 위해 노력하겠다”고 밝혔다.