GAA 차세대 트랜지스터 기술 최초 상용화 성공5나노보다 전력 45%↓ 면적 16%↓ 성능 23%↑ “고객사 확보, 수율에 대한 자신감 표현일 것”
삼성전자가 30일 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3nm(나노미터·10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 이재용 삼성전자 부회장이 강조한 '기술 리더십'을 기반으로...
이 부회장의 ‘기술 삼창’ 이후 삼성전자는 초격차 기술 전략에 박차를 가하는 모습인데요
삼성전자가 세계 최초로 차세대 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 공정 양산 초읽기에 들어갑니다. 이 기술은 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 대만 TSMC를 따라잡을 비장의 무기로 평가받습니다.
앞서 삼성은 지난달...
22일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산에 돌입한다. 업계에서는 상반기가 끝나는 7월까지 일주일가량 시간이 남은 만큼 삼성전자가 다음 주 중 삼성전자가 3나노 공정 양산을 공식 발표할 것으로 추정하고 있다. 또 삼성은 3나노 공정에서 고객사도 확보한 것으로 전해졌다.
삼성전자 관계자는...
삼성전자는 올해 상반기 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 양산을 목표로 하고 있으며 GAA 공정 수율 확보는 경쟁사와의 기술 격차를 단숨에 좁히는 승부수가 될 것으로 기대한다. 차세대 패키지 기술 확보로 연산 칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련하기로 했다.
바이오 공격적 투자로 ‘제2의 반도체 신화’...
이 부회장은 이날 평택캠퍼스에서 바이든 대통령과 윤석열 대통령을 안내하며 삼성전자가 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노(㎚·1㎚는 10억 분의 1m) 반도체 시제품을 선보였다.
업계에서는 전 세계에 기술 우위롤 보여줬을 뿐 아니라 대만 TSMC보다 3나노 공정에서 앞섰다는 상징적인 의미와 함께 대형 팹리스 유치에도 큰 효과를 기대할 수 있을...
이 부회장은 한미 정상에게 조만간 양산할 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정을 선보인 것으로 알려졌다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능을 높인 신기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 파운드리(반도체 위탁생산) 1위인 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로...
특히 삼성전자는 조만간 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품을 선보였고, 두 정상은 방명록 대신 이 반도체 웨이퍼에 서명했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다....
19일 업계에 따르면 삼성전자는 20일 평택 캠퍼스를 방문하는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개한다.
총수인 이재용 삼성전자 부회장이 평택 반도체 공장을 방문하는 바이든 대통령, 윤석열 대통령을 직접 안내할 것으로 알려졌다. 미국 대통령이 국내 반도체 공장을 찾는 것은 이번이...
삼성전자는 올해 상반기 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 ‘3나노 1세대’를, 2023년에는 ‘3나노 2세대’ 양산에 돌입할 예정이다. 반면 대만 TSMC는 3나노에서 기존 핀펫 방식을 유지하고 있으며 몇 차례 양산 시점이 지연되다 올 하반기 양산을 목표로 한다.
업계에서는 TSMC가 삼성의 GAA 기반 3나노 성공 여부를 보고 GAA를 도입할 것으로 보고 있다. 또 TSMC는 최근...
파운드리(반도체 위탁 생산)는 GAA 3나노 공정을 세계 최초로 양산해 기술 리더십을 제고하는 한편 미주와 유럽 등 글로벌 고객사 공급 확대에 주력해 신규 수주 확대에 적극 나설 예정이다. 첨단 공정의 수율 개선과 매출 비중도 확대해 의미 있는 수익 달성을 추진한다.
강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 이날 콘퍼런스콜에서 “5나노(㎚ㆍ10억분의 1m)...
또 지속적인 투자를 위해 제품 가격을 현실화하고 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술 리더십을 이어갈 방침이다.
디스플레이는 중소형의 경우 폴더블 제품이 확대되고 ITㆍ게임ㆍ자동차 등 신규 응용처에 OLED(유기발광다이오드) 진입이 가속화됨에 따라 판매가 증가할 것으로 전망된다. 대형은 QD 디스플레이를 시장에서 프리미엄 제품으로 자리매김하고 수익성...
또 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 공정을 세계 최초로 양산해 기술 리더십을 제고하는 한편 미주와 유럽 등 글로벌 고객사 공급 확대에 주력하고 신규 수주 확대도 지속한다는 전략이다.
디스플레이는 중소형 패널의 경우 거시경제 요인에도 불구하고 주요 고객사 플래그십 스마트폰과 게이밍 등의 수요 영향으로 전년 대비 견조한 실적을 유지할 것으로...
삼성전자는 올해 상반기에 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 1세대 파운드리 제품을 양산한다. 내년에는 3나노 2세대 제품을 생산할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서도 성능을 높인 신기술이다.
파운드리 핵심 중 하나인 미세화 공정의 수율 개선을 통한 수익성 및 공급망...
삼성전자는 올해 상반기에 차세대 트랜지스터 구조 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 1세대 파운드리 제품을, 2023년에는 3나노 2세대 제품 양산을 각각 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서도 성능을 높인 신기술이다.
물론 앞길이 순탄치만은 않다. 대만 TSMC는 매년 천문학적인 금액을 시설투자에...
파운드리는 1세대 GAA(Gate-All-Around) 공정 양산을 통한 기술 리더십 확대와 글로벌 고객사 공급 확대에 주력해 시장 평균을 초과하는 성장을 목표로 하고 있다.
디스플레이는 중소형의 경우 5G 스마트폰 확산과 폴더블 시장 확대로 OLED 수요 증가가 예상되며, 신규 응용처로 OLED 공급을 확대해 안정적 성장 기반을 강화할 계획이다. 대형은 QD 디스플레이를 통해...
파운드리는 1세대 GAA(Gate-All-Around) 공정 양산을 통한 기술 리더십 확대와 글로벌 고객사 공급 확대에 주력해 시장 평균을 초과하는 성장을 목표로 하고 있다.
디스플레이는 중소형의 경우 5G 스마트폰 확산과 폴더블 시장 확대로 OLED 수요 증가가 예상되며, 신규 응용처로 OLED 공급을 확대해 안정적 성장 기반을 강화할 계획이다. 대형은 QD 디스플레이를 통해...
대만 TSMC, 올해 최대 52조 원 시설투자올해 하반기부터 3나노 양산 들어가 삼성전자도 40조 원 투자 전망 GAA 기술 도입한 3나노 상반기 양산에 '승부수'
대만 TSMC가 올해 52조 원에 달하는 사상 최대 규모의 투자계획을 밝혔다. 삼성전자의 추격을 따돌리고 파운드리(반도체 수탁생산) 사업에서 1위를 공고히 하기 위한 차원이다. 업계 1위 TSMC의 투자 행보에...
한편 삼성전자는 올해 상반기에 차세대 트랜지스터 구조 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 1세대 파운드리 제품을, 2023년에는 3나노 2세대 제품 양산을 각각 시작할 계획이다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서도 성능을 높인 신기술로, TSMC는 2나노부터 GAA 기술을 적용할 것으로 알려졌다.
앞서 삼성전자는 지난 10월 개최된 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 내년 상반기에 게이트 올 어라운드(GAA)를 활용한 3나노 1세대 공정을 도입한다고 밝힌 바 있다. 또 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정에 돌입할 것으로 보인다.
애초 TSMC는 3나노 공정 전환에 차질을 빚은 바 있지만, 최근 3나노 반도체 시험 생산을 시작한 것으로...
업계에선 삼성전자의 파운드리 신기술인 게이트올어라운드(GAA)를 기반으로 한 3나노미터(㎚ㆍ1㎚=10억 분의 1m) 제품 양산 가능성에 무게를 둔다.
미국 백악관과 지방정부도 환영의 뜻을 내비쳤다. 백악관은 이날 성명을 내고 “삼성이 텍사스에 새로운 반도체 시설을 건설해 공급망 보호 지원 및 양질 일자리 창출에 기여할 것이라는 발표를 환영한다”라고...