‘나노미터 전쟁’…日 엘피다, 삼성 제쳤다

25nm급 초미세 반도체칩 7월 양산...삼성보다 앞서

세계 3위 D램 업체인 일본 엘피다메모리가 ‘나노미터(nm) 전쟁’에서 삼성전자를 제쳤다.

엘피다가 최첨단 미세화 기술을 사용한 25nm(nano(나노)=10억분의1)급 D램을 개발해 7월부터 대량 생산에 들어간다고 니혼게이자이신문이 2일(현지시간) 보도했다.

엘피다가 개발한 회로선폭 25nm급 D램은 지금까지 나온 반도체칩 가운데 가장 폭이 좁은 제품이다.

엘피다는 대량 생산으로 비용 경쟁력을 높여 최근 수요가 급증하고 있는 스마트 기기용으로 공세를 퍼붓는다는 전략이다.

지금까지 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 삼성전자가 앞섰지만 엘피다가 이를 뒤집었다고 신문은 평가했다.

25nm D램의 기억용량은 2GB(기가바이트=20억바이트)로 컴퓨터나 스마트폰에 주로 사용된다.

25nm D램은 30nm D램보다 작아 반도체 원판(웨이퍼)당 반도체 칩 생산량이 늘어나며, 이에 따라 생산효율이 약 30% 향상될 것으로 기대된다.

엘피다는 이 제품을 7월부터 일본 히로시마 공장에서 대량 생산할 계획이며, 올해 안에 4GB짜리 D램도 양산에 들어갈 예정이라고 신문은 전했다.

신문은 “엘피다가 30nm D램 개발에서 삼성전자에 약 6개월 뒤졌지만 1년 전부터 기술개발 체제를 수정한 끝에 20nm D램 개발에 앞설 수 있었다”고 분석했다.

D램은 최첨단 제품으로 1년에 수 %씩 가격이 떨어지기 때문에 개발 속도가 투자비 회수 여부에 직결되는 것으로 평가된다.

따라서 미세화에서 뒤처지면 투자비 회수가 힘든 반면, 업계를 주도하면 가격 폭락의 영향권에서 벗어나 이익을 내기 쉬운 구조로 체질이 개선된다.

D램 가격은 지난 2월 이후 수요와 가격이 모두 회복 기조에 오른 만큼 엘피다는 이 틈을 타 발 빠르게 신제품을 투입하고 있다는 평가다.