[특징주] 웨이비스, L-SAM 핵심 RF GaN 칩 국산화 개발 본격화에 상승세

웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 적용되는 핵심 무선주파수(RF) 질화갈륨(GaN) 칩 국산화 개발에 나선다는 소식에 상승세다.

15일 오전 9시 3분 현재 웨이비스는 전 거래일 대비 1380원(19.88%) 오른 8320원에 거래됐다.

이날 웨이비스는 L-SAM 다기능레이더 송신부의 고출력증폭보드에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 칩을 개발한다고 밝혔다.

회사는 7월 23일 일반부품 국산화 개발협약을 체결한 데 이어 8월 21일 국방기술진흥연구소 관계자들과 착수회의를 열고 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다.

이번 사업은 현재 해외 부품에 의존하고 있는 L-SAM용 핵심 RF 반도체를 국내 기술로 개발해 공급 기반을 확보하는 것이 목표다. 개발 제품은 장기간 운용되는 무기체계의 유지·보수와 후속 군수지원에도 활용될 예정이다.

RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다. 웨이비스는 해외 공급망 변화와 수출 통제 등에 따른 조달 불확실성을 낮추기 위해 핵심 RF 반도체의 국내 공급 기반을 확보한다는 계획이다.

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