
회사 측은 또 “AI 수요의 장기화 가능성에 대비해 클린룸을 먼저 확보하고, 이후 수요 추이에 맞춰 설비 투자를 빠르게 집행해 나갈 계획”이라며 “올해 증가한 CAPEX 역시 이러한 미래 수요 대응 전략의 일환이며, 시장 변동성에 대해서도 헤지해 나가겠다”고 설명했다.
아울러 미래 기술 리더십 강화를 위한 투자도 병행하고 있다고 밝혔다. 삼성전자는 “근원적 기술 개발과 제품 연구를 동시에 수행하는 자립형 연구단지인 NRD-K Phase 1을 지난해 오픈해 가동 중이며, 선단 공정 개발 역량을 더욱 강화해 나가고 있다”고 말했다.
이어 “지난해 기술 리더십 회복과 제품 경쟁력 확보를 위해 노력해 왔으며, 이를 발판으로 선단 공정 비중을 지속적으로 높이고 있다”며 “AI 응용에서는 고성능·고용량 제품 확보가 필수적인 만큼, 시장의 기술적 니즈를 실현하기 위해 D램과 낸드 모두에서 선단 공정 확보가 중요하다”고 강조했다. 그러면서 “올해 D램은 1c 나노미터 공정, 낸드는 V9 공정을 중심으로 선단 공정 캐파를 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.



