한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 출시

▲한미반도체 'TC 본더 4' (자료제공=한미반도체)

한미반도체가 6세대 고대역폭메모리인 HBM4 생산 전용 장비 'TC 본더 4'를 출시한다고 14일 밝혔다.

일각에서는 HBM4 생산을 위해서는 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 하지만 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 HBM4 표준 높이를 775마이크로미터(μm)로 완화하면서 한미반도체는 TC 본더 장비로 HBM4 제조가 가능해지는 직접적인 수혜를 입게 됐다.

글로벌 메모리 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다. HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력 소모량은 70% 수준으로 낮아진다. 최대 16단까지 지원하며 D램당 용량도 24기가비트(Gb)에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다.

이에 따라 높은 정밀도가 요구되는 16단 이상의 HBM 적층 공정에서 고난도 본딩 기술의 중요성이 더욱 커지고 있다. 현재 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하고 있다.

곽동신 한미반도체 회장은 “이번에 출시한 TC 본더 4는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로, 한층 고도의 정밀도를 요하는 HBM4 특성에 맞춰 경쟁사 대비 생산성과 정밀도가 대폭 향상된 점이 특징”이라며“글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산에 적극 활용되며 향후 HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것”이라고 말했다.