"'초고전압' 전력반도체 사업 본격화한다"…DB하이텍, 공정 기술 강화

▲DB하이텍 부천 캠퍼스 전경. (사진제공=DB하이텍)

DB하이텍이 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 강화했다고 27일 밝혔다.

초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 여러 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원한다. 게이트 드라이버 IC 시장이 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망되면서 수요가 대폭 증가할 것으로 기대되고 있다.

DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다. 이를 통해 고객들은 칩 설계가 쉬운 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 살릴 수 있다. 공정의 활용도 기존의 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장될 것으로 기대된다.

앞서 5월 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서(Compressor)에 적용할 수 있으며, 넓은 여유 전압으로 설계가 쉬운 900V급 레벨 시프터(Level-Shifter)를 제공한 바 있다. 또한 칩 외부에 장치하던 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode)를 내장해 칩 크기를 줄이는 기술을 자체 개발 및 특허 출원해 타 파운드리와 차별화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공해 왔다.

DB하이텍은 경쟁 우위의 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장의 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 높인다는 계획이다.

DB하이텍 관계자는 "향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전 영역 대에 대한 공정 기술을 확보하면서, 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 말했다.

구체적으로는 내년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 10%로 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공한다. 또 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보할 계획이다.