하이닉스, 세계 최초 44나노 1기가 DDR3 D램 개발

올 3분기 양산…인텔 제품 인증 진행 예정

하이닉스반도체가 44나노 공정 기술로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 9일 밝혔다. 40나노급 공정으로 1기가비트 DDR3를 개발한 것은 하이닉스가 처음이다.

하이닉스는 이 제품이 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이라고 밝혔다. 또 하이닉스는 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품의 양산은 올해 3분기에 시작하고 내년부터 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이라고 덧붙였다.

이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품이다.

이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다.

하이닉스 관계자는 “40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술”이라면서 “올해 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것”이라고 전망했다.