하이닉스, 200mm웨이퍼 생산비중 10%이내로 축소

입력 2008-09-18 16:05

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청주 M8공장만 남기고 가동중단... 수익성ㆍ현금흐름 개선

하이닉스반도체는 수익성과 현금흐름 개선 등을 위해 청주 M8 공장을 제외한 4개 공장의 200mm웨이퍼 생산을 중단한다. 또 내년초까지 200mm웨이퍼 생산 비중을 10% 수준까지 낮출 계획이다.

18일 하이닉스반도체는 중국의 HC1, 미국 유진의 E1, 청주 M9 공장을 가동중단키로 한데 이어 이달 말부터 이천 M7공장의 조업을 멈춘다고 밝혔다. 이에 따라 200mm웨이퍼 생산공장은 청주M8공장만 남게 됐다.

청주M8공장 또한 당초 월13만장의 웨이퍼를 생산하겠다는 계획을 바꿔, 절대 공급이 필요한 제품만 생산한다는 계획이다.

이로인해 하이닉스에서 생산되는 200mm 비중은 지난해 말 월 50% 수준에서 내년 초에는 10% 수준으로 줄어들게 된다.

하이닉스는 200mm 생산공장이 300mm에 비해 경쟁력이 떨어져, 당초 일정보다 구조조정 속도를 앞당긴 것이라고 설명했다.

하이닉스는 주력제품인 D램과 낸드플래시 메모리 생산의 대부분을 원가구조가 뛰어난 300mm 공정으로 전환, 수익성과 현금흐름 등을 개선될 것으로 기대하고 있다.

하이닉스는 이번 200mm 생산공장 조기 종산으로 전체 웨이퍼 생산능력은 2분기 대비 내년 초에는 약 30%가 감소하고, D램과 낸시플래시는 각각 20%이상, 40%이상씩 줄어들게 된다.

이에 앞서 하이닉스는 지난 8월 미국 유진의 E1을 가동중단한데 이어 9월 이천M7, 청주 M9의 조업을 멈추고, 오는 12월에는 중국 우시 HC1의 생산도 중단한다는 계획이다.


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