지난달 업계 최초로 290단 수준의 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 하반기에는 쿼드레벨셀(QLC) 기반 제품도 개발할 계획이다. QLC 제품은 TLC보다 하나의 셀에 더 많은 데이터를 기록할 수 있어 저장 성능이 대폭 향상된다.
현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는 이날 뉴스룸에 공개된 V낸드 기획·개발 담당 임원 인터뷰에서 “AI용...
삼성전자는 지난달 업계 최초로 290단 수준의 ‘1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드’ 양산에 들어갔다. TLC는 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있는 구조다. 9세대에서는 이전 제품 대비 소비 전력도 10% 이상 개선됐다.
조지호 삼성전자 플래시개발실 상무는 "최근 AI 시대로 인해 CPU, GPU의 성능 요구가 급증하고, 이에 따라 고성능...
SK하이닉스 관계자는 “2분기에도 우호적인 가격 환경과 고용량 eSSD 제품의 급격한 수요 증가가 예상된다”며 “초고용량 SSD 구현을 위해 현재 시장의 메인스트림인 트리플레벨셀(TLC)보다는 QLC 방식 솔루션이 필요하다. 솔리다임이 업계에서 유일하게 보유하고 있는 QLC 솔루션을 통해 수요에 대응할 계획”이라고 말했다.
폭증하는 시장 수요에...
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화
삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을 개발해 시장 초격차를 넓힐...
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산'채널 홀 에칭' 기술로 업계 최대 단수 뚫어
삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔다.
삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
또한 더미 채널 홀 제거 기술로...
SK하이닉스는 V7 512Gb(기가비트) TLC 낸드 플래시 제품군인 범용 플래시 스토리지(UFS) 3.1 기반 반도체, 저전력 더블데이터레이트(LPDDR)4·5X, 차량용 HBM2E 등을 전시한다. 해당 제품들은 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)을 구현하는데 필수적이다. 내비게이션이나 주차 등에서 운전자를 돕고, 실수로 인한 전방 충돌, 급차선 변경 등의 상황을 방지하는...
이어 "낸드는 500단 이후가 어려운 도전이 될 것"이라며 "높게 쌓기만 하는 것은 한계가 있기에 데이터 저장 방식을 TLC·QLC·PLC 등 다중 저장 방식으로 전환하는 기술도 대안으로 검토하고 있다"고 덧붙였다.
LPDDR5T·LPDDR5X와 고대역폭 메모리(HBM) HBM3 등 SK하이닉스의 특화 응용제품도 소개했다.
그는 "컴퓨팅 환경 변화가 빠르게...
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...
SK하이닉스, ‘세계 최고층’ 321단 낸드 쌓아
SK하이닉스는 8일(현지시각) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.
이번 SK하이닉스의 발표는 지난해 8월 같은 행사에서 당시 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을...
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 개발 경과를 소개하고 샘플을 공개했다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 밝힌 건 SK하이닉스가 처음이다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 기조연설에서 "4D 낸드...
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 개발 경과를 소개하고 개발 단계의 샘플을 전시했다고 밝혔다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며...
먼저, 비전 AI 분야에서는 △기지국 철탑 및 강관주 안전점검에 사용되는 ‘드론 점검 및 AI 분석 시스템’ △밀폐공간 유해가스 감지 및 이상고온/화재진압 후 불씨 탐지가 가능한 ‘TLC 로보틱스 키트’ △안전 보호구 미 착용, 추락 사고, 화재와 같은 산업 현장 내 위험 상황이나, 승강기 내 쓰러짐과 같은 위급 상황을 자동 감지하는 ‘AI 카메라’...
낸드 가격 역시 13일 오전 ‘3차원(3D) 트리플레벨셀(TLC) 512Gb’ 제품 가격 기준 4.642달러로 전날보다 0.4% 올랐다.
업계에서는 삼성전자를 비롯해 SK하이닉스, 마이크론 등 D램 3사가 모두 감산 선언을 한 만큼 D램 시장의 재고 회전과 가격 회복 속도가 빨라질 것으로 기대하고 있다. 김록호 하나투자증권 연구원은 "감산 규모에 따라 2분기 및 3분기 가격 하락...
역대 수상자 가운데 여성 아티스트는 뱅글스, TLC, 데스티니스 차일드, 하임 등이다. 글로벌 팬덤을 자랑하는 블랙핑크가 다섯 번째 수상자로서 트로피를 품에 안을지 기대가 모인다.
한편 블랙핑크는 약 150만 명을 동원하는 K팝 걸그룹 최대 규모 월드투어를 진행하고 있다. 지난해 7개 도시 14회차의 북미 공연과 7개 도시 10회차 유럽 투어를 성황리에...
TLC 전시관에 마련된 ‘아트(ART)존’에서는 삼성 ‘더 프레임 TV’는 물론 LG와 삼성전자가 지원하는 예술 작품 관람 서비스 ‘올레드 갤러리’, ‘아트스토어’ 서비스가 떠올랐다.
TCL 아트 부스 담당 관계자는 “이번 TCL의 CES 부스는 마이크로 LED, QLED와 같은 하이엔드 제품을 저렴하게 구매할 수 있다는 콘셉트”라며 “이 아트(ART) 부스 TV를 시청할...
지난해 8월 SK하이닉스는 현존 세계 최고층인 ‘238단 512Gb(기가비트) TLC(트리플셀레벨) 4D 낸드’ 개발을 발표했다. 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만이다. 이 제품은 최고층이면서 동시에 가장 작은 크기로 이전 세대보다 속도·전력 효율이 높아졌을 뿐 아니라 ‘고집적화’로 생산성 역시 34% 높아졌다.
D램에서도 세계 최초 기록을 경신하고 차세대...
지난해 말에는 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(트리플레벨셀) 제품 양산을 시작했다. V낸드는 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 반도체로 ‘단수’가 곧 기술력이다.
◇파운드리 ‘초미세화’ 승부수… 두뇌 같은 반도체
삼성전자는 ‘2030년 시스템반도체 시장 1위’ 달성이라는 뚜렷한 목표가 있다. 핵심 동력은...
삼성전자에 따르면 이번에 출시된 ‘1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드’는 업계 최고 수준의 비트 밀도의 고용량제품으로 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드에는 최신 낸드 인터페이스 '토글 DDR 5.0'을 적용했다. 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 최대 2.4Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. PCIe 4.0뿐만 아니라...
삼성전자에 따르면 1Tb TLC(트리플레벨셀) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 토글(Toggle) DDR 5.0이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 토글 DDR은 낸드플래시 인터페이스...
올해 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC 제품을 양산하고 △5세대 10나노급 D램 양산(2023년) △9세대 V낸드 양산(2024년) △자동차 메모리 반도체 1위 달성(2025년) △1000단 V낸드 개발(2030년) 등에 나선다.
이 밖에도 3일(현지시간) 파운드리 포럼 열고 선단 파운드리 공정과 차세대 패키징 적층 기술 개발계획도 밝혔다. 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입해 글로벌...