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삼성전자, 유럽서 '삼성 파운드리 포럼 2023' 개최…"2026년, 2나노 전장 솔루션 양산"

삼성전자는 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료하는 한편, 차세대 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대한다. BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다. 삼성전자는...

2023-10-19 20:00
인간의 뇌 닮은 AI 반도체… 성큼 다가온 차세대 인공지능 기술

삼성전자 연구진이 세계 최초로 구현한 ‘인-메모리(In-Memory)' 컴퓨팅은 한 마디로 차세대 인공지능(AI) 서비스의 출발점이다. 과학 저널 ‘네이처’(Nature)가 이번 연구 결과에 주목한 것도 이 때문이다. 먼저 현재 컴퓨터는 데이터를 저장하는 메모리(기억)와 프로세서 칩(연산)이 분리돼 있다. 반면 삼성전자 연구진이 개발한 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내 대량의...

2022-01-13 15:28
삼성전자, 세계 최초 '자기저항 메모리' 기반 ‘인-메모리 컴퓨팅’ 개발

삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항 메모리)을 기반으로 한 ‘인-메모리’(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다. 삼성전자는 12일(영국 현지시간) 연구 결과를 세계적인 학술지 ‘네이처’(Nature)에 게재했다. 이번 연구는 정승철 삼성전자 종합기술원 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동...

2022-01-13 10:08
과기정통부, 올해 인공지능 반도체 지원 사업에 1253억 투자

저장(메모리)과 연산(프로세서)을 통합한 신개념 PIM(Processing In Memory) 반도체 기술 선점을 위해 1단계로 선도기술 개발을 신설하고 2단계로 격차 기술력 확보를 위해 차세대 메모리 신소자 공정(PRAM, MRAM 등) 기반 PIM 개발 등 1조 원 규모의 범부처 중장기 예타 사업을 기획ㆍ추진한다. 국내 기업이 취약한 소프트웨어(SW) 분야 역량 강화를 위한 시스템 SW(컴파일러...

2021-01-12 12:00
정은승 삼성전자 사장, 대한전자공학회 공학대상 수상

특히 2017년 5월 삼성전자의 파운드리 초대 사업부장으로 부임한 이후 EUV 노광 기술 및 MRAM 공정 기술 세계 최초 양산, 5나노 공정 기술개발 주도 등의 공로를 인정받았다. 그간 서정욱 전 과학기술부 장관, 윤종용 전 삼성전자 부회장, 진대제 전 정보통신부 장관, 김기남 삼성전자 부회장, 박성욱 SK하이닉스 부회장 등 국내 전자산업을 대표하는 인물들이...

2020-11-25 18:13
[테크리더십] 삼성전자, ‘반도체 비전 2030’…초격차 기술 성과

파운드리는 업계 최초로 극자외선 노광장비인 EUV(Extreme Ultra Violet)를 적용한 7나노를 양산했고, 1억 화소 해상도의 이미지센서와 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형MRAM) 솔루션을 상용화했다. 시스템LSI는 5G 모뎀 상용화 등 SoC(System on Chip) 기술 리더십을 확고히 하고, 중국 시장 진입을 통한 글로벌 사업 확대의 기반을 마련했다. 또한...

2020-04-27 06:00
정부, 'AI 반도체' 1등국가 도약 위해 1조원 투입

‘공통’ 분야에서는 ETRI와 카이스트가 5년간 총 52.6억원을 투입하여 차세대 메모리(MRAM)와 AI 프로세서(NPU)를 통합시켜 매우 낮은 전력(1mW급)과 높은 전력효율을 갖는 신개념 PIM 반도체 기술 개발에 도전한다. 과기정통부는 범부처 사업단을 통해 과제별 성과관리, 사업화 등을 체계적으로 집중 관리할 계획이며, 글로벌 시장 동향을 고려하여 조기에 제품화가...

2020-04-23 12:00
[프로필] 정기태 Foundry사업부 PA2팀장 부사장

◇출생연도 : 1965 ◇학력 △서울대 물리학 박사 △서울대 물리학 석사 △서울대 물리학 학사 ◇주요 경력 △18.12 ~ 현재 전자 Foundry PA2팀장 △17.11 ~ 18.12 전자 Foundry LSI PA팀장 △15.12 ~ 17.11 전자 반도체硏 차세대TD팀장 △14.12 ~ 15.12 전자 반도체硏 뉴메모리 TD팀장 △12.12 ~ 14.12 전자 반도체硏 MRAM TD △09.02 ~ 12.12...

2020-01-21 13:18
삼성 파운드리 막판 스퍼트…수주 증가세

삼성전자는 올해 3월 28nm FD-SOI 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다. 이 제품은 데이터 기록 때 삭제 과정이 필요 없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 또한, 비휘발성 특성도 있어 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지한다. 고객의 설계 부담을 줄이고 생산비용을 낮출 수 있다는 점도 장점이다....

2019-12-15 11:00
이달의 과학기술인 상 10월 수상자에 박병국 KAIST교수

박 교수는 차세대 자성메모리(MRAM) 구동의 핵심인 스핀전류를 효율적으로 생성하고, 스핀분극을 자유롭게 제어하는 소재를 개발한 공로가 높이 평가됐다. 과기부 관계자는 "박 교수가 스핀트로닉스 기술을 바탕으로 저전력, 초고속, 고집적 반도체 소자 개발의 초석을 다졌다"고 설명했다. 박 교수는 "앞으로도 미래 반도체 기술을 선도할 스핀기반...

2019-10-09 13:08
정은승 삼성전자 사장 "4차 산업혁명, 파운드리 기술 진화가 핵심"

정 사장은 기조연설을 통해 4차 산업혁명 시대에 급증하는 데이터를 처리하기 위해서는 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 지속적으로 향상시켜야 하며, 이를 위해서는 EUV 노광기술, STT-MRAM 등 첨단 파운드리 기술의 진화가 중요하다고 강조했다. 최근 반도체 공정이 10나노 이하로 접어들면서 불화아르곤(ArF) 광원을 사용하는 기존의 노광 공정은...

2018-12-04 08:46
한국과총 '10대 과학기술 뉴스' 선정…인공지능 '알파고' 관심↑

먼저 연구 성과로는 △혈액 기반의 ‘치매 조기진단기술’ 기술이전 및 상용화 추진 △세계 최고 효율 유연 페로브스카이트 태양전지 원천기술 개발 △한국인 유전체 지도 완성 △동해안에서 사라진 명태, ‘완전양식 기술’ 개발 성공 △슈퍼박테리아 퇴치를 위한 항생제 개발 △차세대 자성메모리(MRAM) 핵심 소재 개발 성공 등이 뽑혔다. 특히 연구 성과...

2016-12-22 12:00
반도체·디스플레이 5사, 中企 합동 기술세미나 개최

SK하이닉스의 전윤석 상무는 'SK하이닉스의 미래기술전략'이라는 주제로 반도체 공정 미세화에 따른 기술적 이슈와 한계 극복방안을 설명하고 자사의 글로벌 투자동향과 STT-MRAM, PCRAM, ReRAM와 같은 차세대 메모리 반도체 기술개발 전략을 제시했다. 동부하이텍의 이윤종 연구소장은 '동부하이텍의 기술로드맵'을 제목으로 고성능 아날로그 CMOS, High Voltage CMOS 등...

2014-01-27 11:05
[특별기고] 도쿄일렉트론과 어플라이드머티리얼스의 경영 통합 의미

Xnm의 미세 가공, 차세대 450mm 웨이퍼의 장치 개발, 플래시, DRAM, 더 나아가서 차세대 MRAM 등 메모리의 대용량화에 대응한 기술 개발에도 심각한 차질이 빚어지고 있다. 경영 통합하면 이러한 개발은 공동으로 진행돼 비용이 대폭 줄어들 것이다. 그래도 간과할 수 없는 점은 이러한 거액의 개발비를 예전에는 반도체업체들이 직접 부담했다는 것이다. 하지만 일본...

2013-10-07 11:22
[이투데이-산교타임즈 특약] 15-② 올해 메모리시장, 모바일 DRAM에 달렸다

또한 차세대 메모리로 부상한 MRAM은 수많은 차세대 메모리 후보 중에서도 두드러지고 있다. 스핀 주입자화 반전형 MRAM(STT-RAM)의 등장으로 저소비 전력화와 대용량화가 가능해져 새로운 불휘발성 메모리로서 각광을 받고 있다. 범용 DRAM은 수요 감소에 제동이 걸리지 않지만 가격 면에서는 이변이 일어나고 있다. 스팟 가격의 상승이다. 시장조사업체인...

2013-04-03 11:34
日, 절전형 반도체 개발에 ‘올인’

이들 연합은 전원을 꺼도 정보가 지워지지 않는 자가저항메모리(MRAM)를 기존의 40분의1 수준의 저전류에서도 작동할 수 있도록 하는 한편 저장용량은 실용화의 기준인 기가바이트(GB)를 실현했다. 도시바는 이를 가전제품에 사용하면 가전 소비전력의 6%를 차지하는 대기전력을 없앨 수 있다고 보고 있다. 대학들도 절전형 반도체 기술 개발에 열을 올리고 있다....

2011-06-20 09:43
日 엘피다ㆍ샤프, 차세대 메모리 공동 개발

이 제품이 만들어지면 엘피다의 생산 거점에서 양산해 샤프의 휴대전화기나 태블릿 PC 등에도 사용된다. 현재 도시바가 입체 구조의 신형 플래시 개발을 서두르고 있으며 삼성은 사업 규모의 크기를 살려 ReRAM 외에도 읽기쓰기 속도가 빠른 PRAM(상변화 메모리), 새로 쓰기 횟수에 제한이 없는 MRAM(자기 기록식 메모리) 등을 폭넓게 개발하고 있다.

2010-10-13 10:30
차세대메모리 공동연구센터 출범

차세대 메모리 주력제품으로 유력시되는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque - Magnetic Random Access Memory)을 기업과 학계가 함께 개발할 공동연구센터가 문을 열고 개발사업에 착수했다. 지식경제부는 26일 서울 한양대에서 임채민 1차관과 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 정부와 업계, 학계 인사 150여 명이 참석, 차세대 메모리시장 선점을 위한...

2009-11-26 08:43
차세대 메모리 특허출원, PRAM이 가장 활발

그러나 다른 종류의 차세대 메모리인 FeRAM, MRAM, ReRAM의 특허출원이 각각 20건, 53건, 66건에 그쳤던 데 비해서는 압도적으로 많은 것으로 집계됐다. 이는 PRAM이 전력을 차단해도 정보를 기억하는 플래시메모리의 장점과 고속 동작이 가능한 DRAM 장점을 모두 갖추고 있기 때문이다. 특히 기존 생산설비를 이용한 양산 및 고집적화가 쉬워 기업들도...

2009-10-11 12:00
국내 IT산업 라이벌, 공동 R&D 본격화

11일 지식경제부에 따르면, 삼성전자와 하이닉스는 차세대 메모리 분야 원천특허 확보를 통한 지속적인 메모리 강국의 위상을 유지하기 위해 STT-MRAM((Spin Transfer Torque Magnetic RAM) 공동 R&D를 추진할 예정이다. 또한 LG디스플레이와 삼성전자는 디스플레이산업의 경쟁력 강화를 위해 감광용 마스크를 사용하지 않고 10세대 이상 대형화에 사용가능한 디지털...

2008-09-11 11:22

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