초저전력·고성능 공정 기술 개발HBM4 베이스 다이 개발·양산 기여
최정민 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 PL이 고대역폭메모리(HBM4) 베이스 다이 경쟁력을 높인 4나노 초저전력 공정 기술 개발 성과를 인정받아 ‘대한민국 엔지니어상’을 수상했다.
23일 삼성전자에 따르면 최 PL은 3차원 구조 트랜지스터인 핀펫(FinFET) 기반 4나노 초저전력
‘타오의 법칙’으로 삼전·TSMC 추격“ASML 첨단 EUV 장비 없이 가능”
반도체 업계에서 ‘무어의 법칙’의 한계에 대한 지적이 나오는 가운데 중국 화웨이가 이른바 ‘타오의 법칙’을 제시하면서 공정 수준을 빠르게 높이고 있다. 미국의 제재에도 반도체 기술 자립에 속도를 내고 있다는 평가다.
25일(현지시간) CNBC에 따르면 화웨이 반도체사업부 및
삼성전자가 5년 뒤 1.4나노(㎚ㆍ10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다. 파운드리(시스템 반도체 위탁생산) 반도체 시장의 선두주자인 TSMC를 넘겠다는 목표다.
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최하고, 파운드리 사업의 로드맵과 신기술을 발표했다.
이날 행사에서 삼성전자는
반도체 대호황(슈퍼사이클) 시기가 도래한 가운데, 삼성전자가 연초부터 연달아 주요 팹리스 고객사로부터 수주를 따내며 파운드리 업계 경쟁에 불이 붙었다.
경쟁사인 대만 TSMC가 오랜 시간 관계를 유지해온 미국 반도체 업체들의 물량을 일부나마 가져오고 있다는 점에서 올해 유의미한 점유율 확대도 기대된다.
“퀄컴 스냅드래곤 X65, 삼성 4나노 공정에서 제
삼성전자가 파운드리(칩 위탁생산) 분야에서 5나노 제품 양산에 돌입했다고 밝혔다. 또 4나노 2세대 공정까지 개발 중이란 사실을 처음 공개했다.
삼성전자는 30일 진행한 컨퍼런스콜에서 4나노 반도체 생산을 건너뛰고 3나노로 직행할 것이라는 시중의 예상에 대해 "4나노 개발 중단 루머는 사실무근"이라며 "현재 4나노 1세대 공정개발과 양산 준비를 차질없