삼성전자는 2분기 수요 약세 상황이 지속될 것으로 예상했다.
DS부문은 DDR5, LPDDR5x 등 하이엔드 제품 수요에 대응하면서 GAA(게이트올어라운드) 2나노 등 기술 경쟁력 강화를 위한 노력을 지속하고 DX부문은 스마트폰과 TV 신모델 판매 확대 등을 통해 견조한 수익성을 추진할 방침이다.
파운드리는 상반기에 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(게이트올어라운드) 공정의 안정화를 통해 선단 공정 기술 리더십을 이어간다.
삼성전자는 향후 본격화될 로봇 시대에 대한 선제적 대응도 강화한다. 미래 산업경쟁력을 좌우하는 AI(인공지능), 차세대통신 등 신성장 IT 분야에서도 R&D를 집중하기로 했다.
이 사장은 "올해 메모리는 AI, 자율주행차 등 신규 응용처와 데이터센터 고객들에게 한 차원 높은 솔루션을 제공해 메모리 솔루션 프로바이더로서 타 메모리 업체와 차별화를 추구할 방침"이라며 "파운드리는 상반기에 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 공정의 안정화를 통해 선단 공정 기술 리더십을 이어가고 시장 예측력 강화와 고객향 제품...
삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA(게이트올어라운드) 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다.
업계 관계자는 "삼성전자의 기술이 우위이지만 캐파 부족으로 경쟁이 어려운 상황"이라며 "용인 클러스터를 통해 파운드리 캐파를 추가로 확보하면 진정한 경쟁이 시작될 것"이라고 분석했다.
생산단지∙소부장∙팹리스...
이 사장은 "올해 메모리는 AI, 자율주행차 등 신규 응용처와 데이터센터 고객들에게 한 차원 높은 솔루션을 제공해 메모리 솔루션 프로바이더로서 타 메모리 업체와 차별화를 추구할 방침"이라며 "파운드리는 상반기에 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 공정의 안정화를 통해 선단 공정 기술 리더십을 이어가고 시장 예측력 강화와 고객향 제품 확대로...
그럼에도 ‘인위적 감산은 없다’는 기조를 지속하며 DDR5, LPDDR5X, GAA(게이트올어라운드) 등 첨단 공정과 제품 비중을 확대하고 인프라 투자로 시장·기술 지배력을 더욱 강화하기로 했다.
김재준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 부사장은 지난달 31일 열린 콘퍼런스콜에서 “올해 메모리는 미래 수요 대비와 기술 리더십을 지속 강화하기 위한 중장기 차원의...
삼성전자는 고용량 메모리 제품 비중을 확대하고 차세대 GAA(게이트올어라운드) 기술 등 반도체 첨단 공정을 통해 파운드리 경쟁력도 강화한다.
정기봉 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 부사장은 “현재 3나노 GAA 1세대의 경우 안정적 수율로 양산하는 중”이라며 "3나노 2세대 GAA 공정은 2024년 예정대로 양산할 예정이며 다수의 모바일, HPC(고성능컴퓨팅)...
삼성전자는 31일 4분기 실적 발표 후 진행된 콘퍼런스콜에서 "3나노 GAA 2세대 공정은 예정대로 2024년 양산할 계획이고 수주와 관련해선 현재 다수의 모바일, HPC 고객들이 관심을 보이고 있다"라고 말했다.
그러면서 "당사의 GAA 기술인 MBC(멀티 브릿지 채널) 팹에 관해선 종전 기술인 핀셋보다 성능이 좋고 전력 소모도 적다. 현재 3나노...
DS 부문은 DDR5, LPDDR5x, GAA(게이트올어라운드) 등 첨단 공정과 제품 비중을 확대하면서 미래 대응을 위한 인프라 투자 등을 통해 시장과 기술 리더십을 더욱 강화할 방침이다.
메모리는 제품 믹스 최적화를 통해 서버·모바일용 고용량 제품을 중심으로 수요 성장세에 적기 대응할 계획이다. 시스템LSI는 모바일용 SoC의 경우 대량판매 제품을 확대하고...
삼성전자는 세계 최초로 GAA(게이트올어라운드)기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다. 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있으며, GAA...
지난해 6월 경쟁사인 TSMC에 앞서 GAA(게이트올어라운드) 공법을 적용한 3나노 선단 기술을 확보해 양산에 돌입했다. 클린룸을 먼저 짓고 주문에 맞춰 제품을 생산하는 ‘쉘 퍼스트’ 전략으로 거래처 확대에 주력하고 있다.
170억 달러(약 22조 원)를 들여 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 신규 파운드리 공장 건설도 시작했다. 삼성전자는 5년 뒤 파운드리...
◇LG화학
회의적인 유럽의 배터리 자급 계획
유럽 배터리 업체 신증설 차질로 동사 반사수혜 발생 전망
국내 NCM 양극재 스프레드, 높은 수준을 유지 중이나
이동욱 IBK투자증권 연구원
◇솔브레인
GAA 공정 수혜
GAA 공정 양산에 수혜
3D NAND 피처 스케일링 가속화도 긍정적
도현우 NH투자증권 연구원
◇POSCO홀딩스
리튬의 가치를 반영하자
광양을...
NH투자증권이 솔브레인에 대해 GAA(Gate All Around) 공정으로 수혜를 입을 것으로 전망했다. 투자의견은 ‘매수’ 유지, 목표주가는 27만 원으로 상향조정했다.
2일 도현우 NH투자증권 연구원은 “고객사 3nm(나노미터) 공정 양산이 솔브레인에 수혜”라며 “3nm GAA(Gate All Around) 공정에 솔브레인이 개발한 식각액이 사용되는데, 이 공정에서 SiGe(실리콘...
송 연구원은 “3D 구조인 핀페트(FinFET), 게이트올어라운드(GAA), 고종횡비(HAR) 공정 적용이 확대되면서, 결함분석이나 공정 중 계측을 하는데 원자현미경의 적용 범위가 커지고 있다”면서 “기존의 자동화툴을 이용한 고해상도 기술에는 전자현미경(SEM)이 적용되었으나, 커버할 수 있는 영역은 매우 특정한 분야에서만 사용돼 유의미한 결함 파악이 이루어지기...
송 연구원은 “1B 나노 DRAM과 236단 Double Stack 3D NAND에서의 빠른 수율 개선과 조기 본격 양산이 필요하다”며 “3나노 경쟁에서 동사는 GAA가 가진 속도 및 전력 소모량에서의 우위를 바탕으로 고객 확보 전략”이라고 말했다.
다만 높은 수율을 달성해 TSMC에 대한 높은 의존도에서 벗어나고 싶은 Nvidia, Qualcomm 등에게 적기에 충분한 물량을 공급할 수 있을지...
GAA(게이트올어라운드, 2나노 이하 초미세 반도체 생산에 사용되는 기술) 등을 적용하고 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련하고 있다. GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입한다.
삼성전자는 AI 글로벌 연구개발 역량 확보와 기반 생태계...
반면 삼성전자는 기존 핀펫 기술 대신 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 양산을 지난 6월 공식 발표했다.
트랜지스터는 전류가 흐르는 채널과 채널을 제어하는 게이트로 나뉜다. GAA는 전류가 흐르는 통로인 채널 아랫면까지 모두 게이트가 감싸 핀펫보다 전류 흐름을 더욱 세밀하게 제어하는 기술이다.
이에 더해...
3나노 양산 3개월 만에…GAA 기술 뭐길래
삼성전자의 이번 발표는 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 지 약 3개월 만에 이뤄졌다. 구체적인 시기를 못박아 1.4나노 제품 양산 계획을 밝힌 것은 처음 있는 일로, 파운드리 공정에 자신감을 드러낸 것으로 풀이된다. 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC도 2나노, 1.4나노 기술을 개발 중이라고 했지만...
오는 2027년에 게이트올어라운드(GAAㆍGate All Around) 기반의 1.4나노미터 공정에 돌입하겠다는 것이다. 삼성전자가 1.4나노 공정 계획을 밝힌 건 이번이 처음이다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “게이트 올 어라운드 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난 2015년...
삼성전자는 6월부터 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노(1㎚=10억분의 1m) 1세대 양산을 시작했다. 내년에는 3나노 GAA 2세대 공정을 선보인다. 2025년에는 2나노 반도체 양산에 돌입한다.
SK하이닉스도 최근 238단 세계 최고층 4D 낸드 플래시 개발에 성공해 내년 상반기 양산을 목표로 하고 있다.
양사는 4세대 10나노(1a) D램 등 차세대 공정 세대교체를 통해 원가...