하이닉스 "올 연말 30나노 D램 40%대"

-하이닉스반도체 2010년 4분기 IR

권오철 하이닉스 사장은 27일 4분기 실적설명회에서 "30나노 D램은 곧 양산을 시작한다"며 "연말에는 모든 생산의 40%정도가 30나노에서 생산될 것"이라고 밝혔다.

권 사장은 이어 "20나노급 낸드는 순조롭게 수율을 향상하고 있어 작년 말 기준 10%정도 였지만 연말에는 70% 이상이 20나노에서 생산된다"고 덧붙였다.

권 사장은 "올해는 공정 기술에서 선두업체와 격차가 나지 않는 최고 수준으로 도약할 것"이라고 말했다.