삼성전자, 실험실 단계 20나노급 D램 개발

삼성전자가 실험실 단계의 20나노급 D램 개발에 성공한 것으로 알려졌다.

25일 관련업계에 따르면 삼성전자는 연구소 실험실 단계에서 20나노급 D램을 개발하고 상용화를 위한 연구를 진행 중인 것으로 전해졌다.

특히 이번 20나노급 개발은 기존 30~40나노급 D램 개발과는 완전히 다른 방식이 사용된 것으로 전해졌다.

물론 이번 20나노급 D램 개발에는 보완해야할 부분이 있다. 신공정 개발을 위해 여러 방법을 통한 실험이 이어져야 하기 때문. 따라서 이번 개발 방식이 20나노급 양산에 사용될 지는 미지수인 상황이다.

삼성전자 관계자는“삼성전자는 상용화 가능성이 일정 수준 이상 돼야 개발했다고 인정한다”며 "현재 개발 진행과정을 감안하면 올해 안에 20나노 개발은 쉽지 않을 것”이라고 밝혔다.