한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 생산 시작

▲한미반도체 HBM4용 'TC 본더 4' (자료제공=한미반도체)

한미반도체가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 전용 장비 ‘TC 본더 4’ 생산을 시작했다고 4일 밝혔다.

글로벌 HBM 제조 기업들이 하반기 HBM4 양산을 앞둔 만큼, 한미반도체는 이에 맞춰 본격적인 TC 본더 4 공급에 나설 예정이다.

한미반도체 ‘TC 본더 4’는 이전 제품 대비 정밀도가 대폭 향상됐다. 동시에 적층된 HBM의 구조적인 안정성을 높이는데 핵심적인 역할을 한다. 또한 소프트웨어 기능도 업그레이드돼 사용자의 편의성도 크게 개선됐다.

업계 일각에선 HBM4 생산을 위해서는 차세대 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 하지만 한미반도체는 기존의 TC 본더의 성능을 대폭 업그레이드하고 새로운 본딩 기술을 적용해 HBM4 생산이 가능하도록 개발하는 데 성공했다. 또한 TC 본더 4 장비는 고객사 입장에서 플럭스리스와 하이브리드 본더 대비 구매단가를 낮출 수 있다.

HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 수준으로 낮아져 혁신적인 성능 개선을 구현했다. 최대 16단까지 적층 가능하며, D램당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다.

한미반도체 관계자는 "TC 본더 4가 글로벌 메모리 기업들의 HBM4 양산 계획에 차질 없이 대응할 수 있도록 대량 생산 시스템을 구축했다"며 "이번 HBM4 전용 장비 공급을 통해 글로벌 AI 반도체 시장에서 선도적 지위를 유지하겠다. ‘고객 만족’과 ‘고객 평등’이라는 정책을 기준으로 고객사 만족에 최선을 다하겠다”고 말했다.