TSMC, 美 공장서 4나노 첨단 반도체 생산 개시

▲대만 타이난에서 TSMC로고가 보인다. 로이터연합뉴스

세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC가 미국 서부 애리조나주 공장에서 회로선폭 4나노미터(1nm=10억분의 1m)의 첨단 반도체를 생산하기 시작했다.

10일(현지시간) 로이터통신에 따르면 지나 레이몬도 미국 상무장관은 “미국 노동자들이 대만과 동등한 수율과 품질로 4나노급 첨단 반도체를 생산하고 있다”고 말했다. 생산은 몇 주 전부터 시작됐으며 제품은 미국 고객을 대상으로 한다고 설명했다.

애리조나 ‘21팹(fab·반도체 생산공장)’ 1공장은 TSMC가 해외에 설립한 첫 번째 12인치 웨이퍼 생산 공장으로, 2021년 착공에 들어갔다. TSMC는 당초 양산 게시 일정을 2024년 중으로 잡았지만 인력 부족 등의 영향으로 올해 상반기로 변경했다.

TSMC는 애리조나에 3개의 반도체 공장을 세울 계획이다. 총 투자액은 650억 달러(95조8620억 원)에 달한다. 조 바이든 미국 행정부는 지난해 11월 66억 달러의 보조금 지급을 결정했다. 제2공장은 2028년, 제3공장은 2020년대 말까지 양산을 시작할 예정이다.