중국에 삼성전자 반도체 기술 유출한 전 임원·수석연구원 구속

▲서울 삼성전자 서초사옥의 모습. (사진제공=연합뉴스)

삼성전자와 하이닉스 반도체 등에서 임원을 지낸 이들이 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속됐다.

6일 연합뉴스에 따르면 서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자와 옛 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최모(66) 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모(60) 씨를 산업기술법 위반과 부정 경쟁 방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다.

이들은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여 개를 무단 유출해 중국 기업인 청두가오전의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

최 씨는 중국 청두시에서 투자받아 2021년 청두가오전을 설립했고, 오 씨는 청두가오전 임원을 지낸 것으로 알려졌다.

경찰은 첩보를 파악해 수사에 나서 지난해 오 씨의 자택을 압수 수색을 하는 과정에서 공정도를 발견해 관련 혐의를 추적해 왔다.

앞서 경찰은 지난 1월 오 씨에 대해 구속영장을 신청했으나 기각됐다. 경찰은 이후 보완 수사를 거쳐 이번에 구속영장을 재신청했고, 최 씨에 대한 영장도 같이 신청했다.

경찰은 구속 수사를 통해 구체적인 유출 경위와 정확한 피해 범위, 이들이 챙긴 경제적 이익 여부 등을 파악할 방침이다.