SK그룹, 세계 최고 수준 제품으로 글로벌 시장 공략 [R&D가 경쟁력]

▲SK하이닉스의 HBM3E. (사진제공=SK그룹)

SK그룹은 글로벌 지정학적 리스크가 심화하는 가운데 연구ㆍ개발(R&D)을 통해 국가 경쟁력을 높이는 데 힘을 보태고 있다.

SK하이닉스는 기하급수적으로 성장 중인 인공지능(AI) 메모리 시장에서 R&D에 투자를 아끼지 않고 있다.

SK하이닉스는 세계 최초로 TSV(Through Silicon Via) 기반 고대역폭메모리(HBM) 제품을 내놓은 이래 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-Fill), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 한창이다.

지난해 4월 SK하이닉스는 24기가비트(Gb) 12단 HBM3를 개발했다. 이 제품은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다.

SK온은 국제 무대에서 배터리 기술력을 인정받았다.

진화된 급속충전 성능을 갖춘 어드밴스드 SF(Super Fast) 배터리로 ‘2024 인터배터리 어워즈’에서 ‘급속충전 최고혁신상’을 수상했다.

어드밴스드 SF 배터리는 기존의 SF 배터리 대비 에너지 밀도는 9% 높이면서 급속충전 시간은 유지한 혁신 제품이다. 에너지 밀도가 같을 경우 기존 SF 배터리보다 급속충전 성능을 18%가량 개선했다. 보통 에너지 밀도가 10% 증가하면 급속충전 시간이 20% 증가한다.

이 배터리는 SK온이 고유의 급속충전 기술을 끊임없이 개선해 얻어냈다. 특수 코팅공법을 통해 음극 저항을 획기적으로 낮추고, 음극 정렬 공법을 적용해 리튬이온 이동 경로를 단축했다.