[종합] SK하이닉스, ‘슈퍼사이클’ 넘어선 최대 실적…올해 60兆 전망

입력 2022-01-28 16:03 수정 2022-01-28 16:30
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D램ㆍ낸드가 실적 견인, 매출 中 96%
차세대 제품 및 솔리다임 협업으로 성장 지속
올해 D램 10%ㆍ낸드 30% 이상 출하량 ↑
SK하이닉스 “솔리다임 협업 제품 곧 출시”

▲SK하이닉스 이천 M16 공장 전경 (사진제공=SK하이닉스)
▲SK하이닉스 이천 M16 공장 전경 (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 낸드ㆍD램의 호실적에 힘입어 역대 최대 매출을 기록했다. 반도체 슈퍼 호황기(사이클)였던 2018년 매출보다 2조 원 이상 높은 실적이다.

SK하이닉스는 차세대 D램 제품을 통해 경쟁력을 확보하고, 솔리다임과 협업으로 낸드 시장에서 점유율을 높이며 성장세를 이어간다는 전략이다.

28일 SK하이닉스는 연결기준 매출 42조9978억 원, 영업이익 12조4103억 원을 기록했다고 공시했다. 이는 전년 대비 각각 34.8%, 147.6% 증가한 수치다.

SK하이닉스는 “공급망 차질 등 불확실한 시장환경 속에서도 기술력과 품질 경쟁력을 바탕으로, 적극적인 제품 공급에 나서면서 사상 최대 매출을 기록했다"고 밝혔다.

사업부별로 살펴보면 지난해 SK하이닉스의 매출은 낸드와 D램이 견인했다. 지난 4분기 매출액 가운데 사업 비중은 D램이 71%, 낸드가 25%를 차지했다.

▲SK하이닉스 사업부 및 응용처별 매출 (제공=SK하이닉스)
▲SK하이닉스 사업부 및 응용처별 매출 (제공=SK하이닉스)

D램 사업의 경우 PC, 서버 제품 수요에 탄력적으로 대응하며 수익성 확보에 집중했다. 특히 업계 최초로 개발한 DDR5와 HBM3 등 차세대 고부가가치 제품에서 품질 경쟁력 확보가 실적확대에 주효했다는 평이다.

낸드 사업은 128단 제품 경쟁력으로 연간 60% 이상의 출하량 성장을 기록하면서 사상 최대 매출과 연간 영업 흑자전환에 성공했다.

업계에서는 올해도 서버용 메모리 수요가 견조한 가운데 PC와 모바일 수요도 점차 회복되며 매출은 50조 원을 넘어 60조 원에 육박할 것으로 전망했다.

SK하이닉스에 따르면 올해 메모리 시장은 공급망 이슈가 상반기까지 지속할 전망이지만 하반기로 갈수록 점진적으로 해소되며 수급 상황이 개선될 것으로 관측된다.

노종원 SK하이닉스 사업총괄 사장은 이날 열린 콘퍼런스콜에서 "D램 시장의 수요 증가율은 10% 후반으로 예상한다"며 "당사는 시장 수준의 출하량 증가를 목표로 하고 있다"고 말했다.

이어 "다만 1분기는 계절적 비수기로 전반적인 수요 약세를 보일 전망"이라며 "이에 따라 1분기 당사의 D램 출하량은 전 분기 대비 한 자릿수 중후반 정도 감소할 것"이라고 덧붙였다.

낸드플래시 출하량은 30% 넘게 증가할 전망이다. 노 사장은 "작년에 이어 올해도 수요 성장률을 웃도는 출하량 증가를 계획하고 있다"며 "솔리다임 물량까지 포함하게 되면 작년에 비해 2배 수준의 출하량 증가가 전망된다"고 강조했다.

다만 D램과 마찬가지로 1분기가 비수기인 점을 고려해 SK하이닉스의 낸드 출하량 증가는 한 자릿수 후반의 감소가 예상된다.

노 사장은 "공급망 차질 이슈의 지속 여부 등 시장 환경에 따라 감소폭이 커질 가능성도 있다"며 "솔리다임을 포함할 경우 전 분기 대비 약 20%의 출하량 증가가 예상된다"고 말했다.

▲SK하이닉스는 업계 최초로 DDR5와 HBM3 D램을 개발했다. 올해도 SK하이닉스는 차세대 고부가가치 제품에서 품질 경쟁력 확보할 방침이다.  (사진제공=SK하이닉스)
▲SK하이닉스는 업계 최초로 DDR5와 HBM3 D램을 개발했다. 올해도 SK하이닉스는 차세대 고부가가치 제품에서 품질 경쟁력 확보할 방침이다. (사진제공=SK하이닉스)

올해 SK하이닉스는 투자 및 제품 라인업 확대, 자회사 솔리다임과 협업 등을 통해 성장세를 이어갈 계획이다.

노 사장은 ”지난해 투자 실적은 13조4000억 원이었으며 올해 투자 규모는 작년 대비 늘어날 것으로 보인다"며 "주로 용인 부지 매입, 미국 R&D(연구개발) 센터 건립 등 미래 성장을 위한 건설 및 인프라 부분의 투자가 증가할 것“이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 지속적인 성장 기반이 될 기술 및 제품 로드맵도 언급했다. D램은 1znm(10나노미터 초반)와 1anm(4세대ㆍ10나노미터급 제품) 비중을 확대해 나가며, EUV를 적용한 1anm는 올해 말 전체 생산량의 1/4 이상이 될 것으로 예상된다.

노 사장은 "올해 수요가 본격화되는 DDR5는 작년 4분기부터 컴퓨팅향으로 판매를 시작했으며, 최근에는 단일 DRAM 칩 기준 최대 용량인 1anm 기반의 24Gb DDR5 샘플도 출하했다"라고 밝혔다.

이어 "작년 4분기 양산을 시작한 ‘낸드 176단’은 128단과 동일한 기술 플랫폼을 기반으로 공정 변경을 최소화해 128단의 성공을 이어갈 것"이라고 덧붙였다.

아울러 SK하이닉스는 기존 낸드 사업 역량과 솔리다임의 시너지 창출을 극대화해 수익성을 유지하고 통합 낸드 사업 성장에 집중할 계획이다.

노 사장은 "솔리다임 SoC(시스템온칩)나 펌웨어 기술을 활용해 SK하이닉스 낸드 제품을 만들 수 있으며, 그것이 양사 시너지의 핵심"이라며 "당사가 CTF(Charge Trap Flash) 기술을 활용한 웨이퍼와 상대적으로 우위에 있는 솔리다임 SoC를 활용해 낸드 확대를 할 수 있을 것으로 기대한다"고 설명했다.

이어 "양사가 긴밀이 협업해 SK하이닉스의 128단 낸드 웨이퍼를 활용하고 솔리다임의 SoC를 결합한 프로토 타입 제품을 만든 상태며 곧 시장에 출시할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

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