에스엔텍 “플라즈마 이용 그래핀 성장 공정 장치 개발…상용화 임박”

에스엔텍이 그래핀 상용화를 위한 플라즈마 장비 기술을 보유한 것으로 확인됐다.

16일 회사와 금융투자업계에 따르면 에스엔텍은 ‘플라즈마를 이용한 그래핀 성장 공정 장치(Plasma Enhanced CVD System for graphene)’를 개발했으며, 시제품이 광주과학기술원(GIST)에 납품된 상태다.

해당 장비의 원천 특허 기술은 광주과학기술원이, 에스엔텍은 특허 실시권을 보유하고 있다.

회사 관계자는 “GIST에서 보유한 그래핀 관련 원천 기술과 에스엔텍의 저온 공정 기술이 해당 장비 기술 개발을 가능케 했다”며 “현재 관련 장비 상용화를 위해 고객사들과 접촉 중”이라고 말했다.

화학기상증착(CVD) 합성법은 최근 고품질의 그래핀 필름을 대량 생산하기 위해 많이 사용된다. 에스엔텍의 플라즈마 그래핀 성장 공정 장치는 촉매금속 표면에 그래핀을 성장시킬 때 필요한 플라즈마를 화학기상 증착하는 설비다. 해당 설비는 플라즈마 사용 시 기존의 열적 그래핀 성장 공정보다 낮은 온도에서 고성능의 그래핀을 성장시킬 수 있다.

주목할 대목은 저온 합성 기술이다. 저온 합성 기술은 고성능 그래핀을 활용할 수 있는 대상을 확장할 수 있으며 공정 비용 절감과 사용처 확대를 가능케 한다. 일반적으로 대면적 고품질의 그래핀은 약 800~1000℃에서 저압 화학기상증착법으로 합성한다. 이 같은 공정은 비용이 많이 들고 고온에 취약한 기판을 사용할 수 없다. 반면 저온 기술은 공정 비용을 줄이며 고온에 손상되는 소재 분야에 사용될 수 있도록 한다.

대표적으로 반도체 소자는 50~300℃의 저온에서 그래핀을 대면적으로 합성할 수 있는 공정 기술을 필요로 한다.

업계에선 플라즈마 화학기상증착 합성법을 반도체 소재, 배선, 유연 소자, 태양전지 등의 그래핀 기반 미래형 전자소자의 실용화를 앞당길 수 있는 유력한 기술로 보고 있다.