하이닉스, 美 그란디스와 STT램 공동 개발키로

하이닉스반도체는 차세대 메모리 STT램 기술 개발 업체인 미국 그란디스와 'STT램'(Spin-Transfer Torque RAM) 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.

이번 계약에 따라 하이닉스반도체는 업계 최초로 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이선스를 취득했으며 향후 두 회사는 양 사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력한다.

STT램은 자기(磁氣)적 성질을 이용한 차세대 메모리로 전력 공급 없이도 정보를 보관하는 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하며 D램 이상의 고용량을 구현한다. 소비 전력이 낮고 내성이 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준의 기술이라는 것이 하이닉스 측의 설명이다.

특히 기존 메모리 제품의 기술적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능하다. 오는 2012년경부터 본격 시장이 형성될 것으로 보이며 중장기적으로는 기존 D램을 대체할 수 있을 것으로 전망된다.

하이닉스 측은 "이번 계약을 통해 차세대 메모리 기술의 조기 확보 및 향후 시장 선점 가능성을 한층 높이게 됐다"며 "P램, Z램 등과 함께 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축함에 따라 향후 시장 변화에도 한층 더 유연하게 대응력할수 있게 됐다"고 설명했다.

한편 하이닉스반도체는 지난해 말부터 시작된 지식경제부가 주관하는 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발 2단계 사업'의 일환으로 삼성전자와도 STT램 공동개발을 추진한다. 하이닉스반도체가 도입키로 한 그란디스의 기술과 동작원리는 같지만 데이터 저장 장소 구현 방식에 차이가 있어 별개 과제로 진행된다.