삼성전자ㆍ성균관대, ‘반도체 위에 성장한 비정질 그래핀’ 신기술 개발

삼성전자가 성균관대학교와 함께 손잡고 ‘반도체 위에 성장한 비정질 그래핀’ 신기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 비정질 그래핀 합성 원천기술은 세계 첫 개발이다.

꿈의 신소재로 불리는 그래핀의 새로운 형태인 비정질 그래핀의 대면적 합성 기술은 대표적인 차세대 신소재인 2차원 소재의 응용범위 확산에 새로운 전기를 마련할 것으로 전망된다.

삼성전자 종합기술원 황성우 전무, 주원제 박사 등은 성균관대학교는 공과대학 신소재공학부의 황동목 교수, 이재현 박사 등과 공동으로 반도체 웨이퍼 위 ‘대면적의 단원자층 비정질 그래핀 합성’ 원천기술을 세계 최초로 개발했다.

그래핀은 탄소원자들이 육각형의 격자를 이루며 규칙적으로 배열된 구조를 가진 단일원자층 두께의 대표적인 결정성 2차원 물질로, 매우 뛰어난 전기적, 기계적 특성을 가지고 있어 꿈의 신소재로 불리기도 한다.

2004년 그래핀의 우수한 특성이 알려진 이후 다양한 2차원 물질이 세계적으로 매우 활발하게 연구되어 왔으나, 지금까지의 2차원 물질의 연구는 물질 내 구성원자들이 규칙적으로 배열되어 있는 결정성 물질에 국한됐다.

공동연구팀은 지난 2014년도에 반도체 기판 위에 단결정 그래핀을 대면적으로 합성하는 원천기술을 개발하여 학계 및 산업계에서 큰 주목을 받은 바 있다.

이번 후속연구를 통해 2차원 물질 내의 원자 간 결함 구조를 조절하여 2차원 평면상에서 탄소원자들이 랜덤하게 연결된 비정질 그래핀을 대면적으로 합성하는 데 성공했다.

이번 연구결과 논문은 사이언스 어드밴스(Science Advances)지 온라인판에 10일 게재되었으며, 이 논문에 공동 제1저자로 참여한 성균관대 이재현 박사는 한국연구재단의 대통령포스닥사업의 지원을 받고 있다.