삼성전자·SK하이닉스, ISSCC에서 차세대 반도체 기술 공개

삼성전자와 SK하이닉스가 ‘국제반도체기술학회(ISSCC) 2017’에서 차세대 반도체 기술을 공개한다.

3일 관련업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 이달 5일부터 9일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 ISSCC에 참석한다.

ISCC는 지난 1954년에 설립된 국제반도체회로 학술회의다. 매년 3000명 이상의 반도체 분야 전문가들이 이 학회에서 최신 성과 및 정보를 교환하고, 미래의 반도체 산업과 기술을 논의한다.

이번 학회에서 삼성전자는 ‘생리학적 신호 측정을 위한 판독 회로’라는 주제 발표를 진행한다. 최근 각광 받는 스마트 워치, 손목 밴드 등 개인 헬스케어 기술이 접목된 웨어러블 기기에 적용되는 초저전력 2Gb LPDDR4 메모리 개발 성과를 발표한다. 개인의 생리적 신호를 측정할 수 있도록 저전력 판독 회로를 설계하는 방법에 대한 개요를 제공할 예정이다.

더불어 극자외선(EUV) 노광 장비로 7나노 핀펫(FinFET) 공정 S램 일부 영역을 처리할 수 있는지를 분석한 결과를 내놓을 예정이다. 삼성전자는 지난해 11월 7나노 핀펫 미세공정을 적용한 S램 개발에 성공한 바 있다. 메모리 분야에선 고용량 64단 3D 낸드플래시 관련 논문을 발표할 방침이다.

SK하이닉스는 ‘낸드 플래시 메모리와 설계 동향’에 대해 발표한다. 낸드 플래시 기술의 발달에 따라 더욱 성능이 개선된 새로운 3D 낸드 플래시 구조를 제시하고 더욱 성능을 개선하기 위한 기술이다. 또한 도시바와 공동 연구를 진행해온 차세대 반도체 ‘STT-M램’의 연구 성과를 발표한다. 양사는 STT-M램은 4Gb로 STT-M램에선 세계 최대 용량을 달성한 것으로 알려졌다.