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“SK하이닉스 ‘혁신의 오스카상’ 받는다”…차세대 저장 기술 ‘KV-CSD’, 미국 ‘R&D100 어워드’ 수상

17~19일(현지시간)에는 미국 캘리포니아주 산호세에서 열리는 ‘OCP 글로벌서밋 2023’ 행사에서는 자사의 CXL(Compute Express Link) 기술을 소개한다. CXL은 중앙처리장치(CPU), 메모리 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 PCIe 기반 차세대 인터페이스다. 해당 기술을 통해 시스템 연산 속도와 데이터 처리 속도가 빨라진다. SK하이닉스는 4분기부터...

2023-10-16 15:24
삼성ㆍSK, HBM 이어 낸드 적층 기술 경쟁 격화

SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력" SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...

2023-08-09 16:14
300층 쌓은 SK하이닉스…블록도 아닌데 왜 쌓아야 좋은가요? [이슈크래커]

SK하이닉스, ‘세계 최고층’ 321단 낸드 쌓아 SK하이닉스는 8일(현지시각) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다. 이번 SK하이닉스의 발표는 지난해 8월 같은 행사에서 당시 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을...

2023-08-09 15:49
[종합] SK '최고층 낸드' 삼성 '차세대 SSD'…메모리 기술력 뽐낸 K-반도체

SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 개발 경과를 소개하고 샘플을 공개했다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 밝힌 건 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 기조연설에서 "4D 낸드...

2023-08-09 15:12
SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드플래시 샘플 공개

'FMS 2023'서 개발 현황 알려…300단 이상 세계 최초PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션도 소개 SK하이닉스가 세계 최고층 낸드플래시 샘플(시제품)을 공개했다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 개발 경과를 소개하고 개발 단계의...

2023-08-09 05:30
SK하이닉스, 첫 ‘CXL D램’ 개발…메모리 생태계 확장 가속

강욱성 SK하이닉스 D램 상품기획담당(부사장)은 “CXL은 메모리 확장과 새로운 시장을 창출할 수 있는 새로운 계기”라며 “제품 양산 시점은 2023년으로 예정하고 있으며 그 후에도 최첨단 D램 및 진보 패키지 기술을 개발해 CXL 기반의 다양한 대역폭ㆍ용량 확장 메모리 솔루션 제품을 출시할 계획”이라고 설명했다. 이번 제품의 폼팩터(제품...

2022-08-01 10:55