초고속메모리 검색결과

검색결과 총30건

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수은, 탄자니아 AI 교육기관 건립에 1억7000만 달러 지원

EDCF 첫 AI 사업…인프라·기술 묶은 ‘K-AI 패키지’ 가동AI·로보틱스 등 4개 학과 개설…한국형 교육모델 적용 한국수출입은행이 탄자니아 AI 전문인력 양성을 위해 1억7000만 달러 규모의 차관을 지원한다. 개발도상국에 인프라와 AI 기술을 함께 지원하는 ‘K-AI 패키지’의 첫 사업으로, 국내 AI 기업과 기술의 아프리카 진출 기반을 넓힌다는

2026-11-05 08:21
SK하이닉스, HBM 넘어 '계층형 메모리' 제시…AI 인프라 최적화 승부수

‘FMS 2026’서 HBM·D램·낸드·SSD 잇는 '계층형 메모리' 전략 제시HBF로 AI 추론 시대 새 메모리 계층 공략375단 4D 낸드·CXL 공개…AI 인프라 전 영역 대응 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)부터 D램, 낸드, 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 유기적으로 연결하는 '계층형 메모리(Tiered Memory)' 전략을 제시하며 차세대

2026-08-07 14:20
"6만 원짜리 D램이 47만 원으로" AI發 공급쇼크 [메모리 쇼티지 시대]

국내 PC용 D램, 작년 6만5000원 → 47만5000원으로 급등D램 고정거래가격 반년 넘게 상승… 7년 만의 고점 경신AI 데이터센터·HBM 쏠림에 범용 D램 쇼티지… 완제품 가격도 들썩 PC용 D램(RAM)가격이 불과 1년 만에 7배 가까이 뛰면서 소비자와 업계 모두 ‘패닉’에 빠졌다. 글로벌 D램 고정거래 가격 역시 7년 만의 고점을 경신했다.

2025-12-15 08:14
'경기도, AI반도체 보고서 발간'…경과원, 미래 산업 주도권 확보 위한 방향 제시

인공지능(AI) 서비스의 확산으로 AI 특화 맞춤형 반도체 개발 경쟁이 가속화되면서 새로운 혁신과 시장 창출의 기회가 있을 것이라는 전망이 나왔다. 경기도경제과학진흥원(이하 경과원)이 이달 발간한 ‘차세대 AI반도체 주요 이슈와 시사점’ 보고서에서 “경기도는 팹리스 육성을 위해 판교 중심의 AI반도체 생태계 구축과 AI반도체 인프라 확충에 주력해야 한다”

2024-10-30 17:00
'반도체 메가 클러스터' 신속히 조성…인프라 구축 속도낸다

'반도체 메가 클러스터'의 신속한 조성을 위해 정부가 관련 인프라 구축에 속도를 낸다. 또한 세계 각국이 벌이는 '반도체 보조금 전쟁'에 대응해 국내 투자 기업에 대한 인센티브 방안도 마련한다. 정부는 9일 윤석열 대통령 주재로 열린 '반도체 현안 점검회의'에서 이런 내용을 담은 '글로벌 반도체 공급망 동향 및 반도체 메가 클러스터 추진현황'과 'AI-

2024-04-09 13:01
삼성운용 ‘AI반도체 핵심장비 ETF’ 순자산 1000억 돌파

삼성자산운용이 인공지능(AI) 반도체 산업 성장의 최대 수혜주로 손꼽히는 국내 반도체 장비 기업에 투자하는 ‘KODEX AI반도체 핵심장비 상장지수펀드(ETF)의 순자산이 1000억 원을 돌파했다고 8일 밝혔다. 지난해 11월에 상장한 KODEX AI반도체 핵심장비 ETF는 일명 ‘AI반도체의 꽃’이라 불리는 고대역폭메모리(HBM) 관련 장비주에 집중

2024-01-08 08:53
“SK하이닉스 ‘혁신의 오스카상’ 받는다”…차세대 저장 기술 ‘KV-CSD’, 미국 ‘R&D100 어워드’ 수상

SK하이닉스가 이른바 ‘혁신의 오스카상’이라고 불리는 미국 ‘R&D100 어워드’에서 상을 받는다. 국내 반도체 기술력이 다시 한번 세계에서 인정받은 셈이다. SK하이닉스는 향후 인공지능(AI)·빅데이터 시대에 맞춰 여러 반도체 신기술을 혁신해나간다는 계획이다. 16일 SK하이닉스에 따르면 자사가 개발에 참여한 메모리 저장 기술 제품 ‘KV-CSD’가

2023-10-16 15:24
SK하이닉스, SV페스티벌…반도체 개발ㆍ사회적가치 동시 창출 포상

SK하이닉스는 ‘SV(사회적 가치) 창출 우수사례 페스티벌’을 열고 반도체 개발에 기여하면서 다양한 SV를 창출한 우수사례를 발굴해 포상을 실시했다고 30일 밝혔다. SK하이닉스는 2019년부터 △제조ㆍ기술 △D램 개발 △P&T(Package & Test) △PKG(Package)개발 4개 부문에 DBL실천단을 구성해 매년 말 SV 페스티벌을 열고 우

2022-12-30 09:41
삼성전자 최신 D램, 업계 최고 수준 동작속도 구현

삼성전자의 최신 D램이 업계 최고 수준의 동작 속도를 구현했다. 18일 삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술을 활용된 14나노 기반 LPDDR5X D램의 동작 속도를 검증해 공개했다. 그 결과 업계 최고 수준인 8.5Gbps의 속도를 구현했다. 'Gbps'는 1초당 처리가 가능한 기가비트를 의미한다. 이번 검정은 지난 3월 퀄컴과

2022-10-18 11:00
SK하이닉스, 초고속 D램 개발 '박차'…윤곽 드러낸 차세대 제품

SK하이닉스가 초고속 D램 시장에서 주도권을 놓치지 않기 위한 기술 개발에 열중하고 있다. 지난해 하반기 차세대 고대역폭 메모리 신제품 양산을 시작한 데 이어, 차기 제품의 일부 예상 사양도 공개했다. 13일 이투데이 취재결과 최근 업데이트된 SK하이닉스의 HBM(High Bandwidth Memory) 2E 제품 소개 상세페이지엔 HBM3에 대한 일

2021-06-13 11:00
피델릭스 “미국 대형 스마트폰 업체에 노어플래시 메모리 공급…250억 수출 기대”

메모리 반도체 전문기업 피델릭스가 노어플래시 메모리 사업에서 가시적 효과를 거두면서 올해 대규모 미국향 수주가 기대되고 있다. 피델릭스 관계자는 8일 “올해 미국 대형 스마트폰 제조업체에 공급할 예정인 노어플래시 메모리 출하 규모는 약 250억 원으로 추정한다”며 “현재 1분기의 경우 4분의 1가량의 매출액이 확정된 상태”라고 밝혔다. 그러면서

2019-01-08 10:09
[SP] 피델릭스, 25나노미터 신공정 반도체 연내 개발 완성…양산 내년 1분기

피델릭스가 25nm(나노미터) 신제품 설계의 마무리 단계에 진입을 시작으로 연내 개발을 완성할 전망이다. 7일 피델릭스에 따르면 개발중인 25nm 메모리 반도체의 설계가 마무리 단계로 볼 수 있다며 연내 샘플 완성을 목표로 하고 있다. 회사 관계자는 “4분기 샘플 개발이 되면 내년 1분기 양산이 가능할 것으로 기대한다”며 “본격적인 생산 이후

2018-06-07 10:48
바른전자, 차세대 모바일 저장장치 ‘UFS’ 개발 성공

종합반도체 기업 바른전자가 차세대 모바일 메모리 저장장치로 꼽히는 UFS(유니버셜플래시스토리지) 개발에 성공했다. 바른전자는 기존 eMMC(임베디드멀티미디어카드)의 한계를 뛰어넘는 초고속 메모리 저장장치인 UFS 제품 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 바른전자가 이번에 개발한 제품은 모바일 기기의 내장 메모리인 64GB eUFS로 MLC 낸드(N

2017-07-17 14:23
민관 시스템반도체 산업 4645억 투자...4년간 인력 2880명 양성

4차 산업혁명 핵심인 반도체 산업, 특히 시스템반도체 기술 경쟁력 확보에 민관 합동으로 4645억 원이 투입된다. 정부는 설계, 인력, 소재 공정 분야 전문 인력을 4년간 2880명 양성할 계획이다. 산업통상자원부는 30일 판교 한국반도체산업협회에서 산·학·연 전문가와 시스템반도체 기업 간담회를 열고 이 같은 내용을 담은 ‘시스템반도체 산업 경쟁력 강

2017-03-30 10:45
박성욱 반도체산업협회장 “자율주행차 등 미래 신사업은 기회”

박성욱 한국반도체산업협회 회장은 “사물인터넷(IoT)ㆍ자율주행차ㆍ스마트시티ㆍ커넥티드홈 등 다채로운 미래 신산업의 등장은 위기가 아니라 기회”라고 27일 말했다. 박 협회장은 이날 저녁 7시 서울 코엑스 인터콘티넨탈 호텔에서 열린 제 9회 반도체의 날 기념행사에서 “한계에 다다른 미세화 공정, 계속되는 반도체 업계 간 인수ㆍ합병(M&A), 첨예한 글로벌

2016-10-27 18:21
삼성ㆍSK 등 참여 2000억 규모 반도체 희망펀드 조성

삼성전자, SK하이닉스 등이 반도체 관련 기업에 투자하는 '반도체희망펀드'에 참여한다. 산업통상자원부는 27일 서울 강남구 인터컨티넨탈 서울 코엑스에서 열린 '제9회 반도체의 날' 기념행사에서 삼성전자, SK하이닉스, 한국산업은행, 한국성장금융이 반도체 희망펀드 투자협약 양해각서(MOU)를 체결했다고 밝혔다. 반도체 희망펀드는 상대적으로 취약한 국내 반

2016-10-27 17:39
삼성전자, 세계 최초 D램보다 7배 빠른 ‘4GB HBM2 D램’ 양산

삼성전자가 현존 최고 속도 D램보다 7배 이상 빠른 ‘초고속 D램 시대’를 연다 삼성전자는 세계 최초로 고난이도 TSV(실리콘관통전극) 기술 기반 차세대 메모리 ‘4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램’을 본격 양산한다고 19일 밝혔다. TSV 기술을 적용한 HBM D램은 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용

2016-01-19 09:00
[초일류 기술을 키워라] SK하이닉스, 고성능 메모리반도체산업 선도

SK하이닉스는 주력 제품인 메모리반도체 기술 경쟁에 속도를 내고 있다. 고성능 D램 개발 및 낸드플래시와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 경쟁력 강화에 주력하며 수익성 확대에 박차를 가할 계획이다. 우선 고성능 D램 개발을 통해 차세대 D램 시장 지배력을 확대한다. DDR 제품을 기반으로 진화를 지속해 온 D램은 최근 고성능에 대한 수요가 늘고 있다.

2014-10-27 11:03
[날개 단 반도체]20나노에서 10나노로, 2D에서 3D로…해외업체와 '절대격차'

세계 메모리반도체 시장의 절반 이상을 점유하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스는 초격차 기술 경쟁을 벌이고 있다. 미세공정 도입 및 첨단 패키징 기술 개발 등을 통해 기술적 우위를 선점, 시장 주도권을 유지하기 위해서다. 삼성전자는 미세공정에서 독보적인 기술 우위를 점하고 있다. 21일 세계 최초로 ‘20나노 8Gb DDR4 서버 D램’ 양산에 성공하면서 P

2014-10-23 10:57
바른전자, 고성능 128GB SD 4.0 카드 개발

바른전자는 고성능 128GB SD 4.0 카드 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. 저장 용량을 늘리고 속도를 높인 128GB SD 4.0 카드는 대용량 데이터 처리에 최적화된 제품이다. 바른전자는 SD 4.0 카드에 초고속 메모리 표준 기술인 UHS-II(Ultra High Speed-II)을 적용해 속도를 높였다. 보편적으로 사용되던 UHS-I에 비해

2014-08-26 17:24

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