삼성전자, 메모리 기술 혁신 속도 낸다

세계 첫 3차원 칩 V낸드 개발…성능 향상 그린DDR4 양산

▲16일 서울 신라호텔에서 열린 '삼성 메모리 솔루션 포럼 2013'에서 삼성전자 전영현 부사장이 프리젠테이션을 통해 삼성그린메모리를 발표하고 있다. 사진제공 삼성전자

삼성전자가 메모리 기술 혁신에 속도를 내고 있다. 최근 D램 값 상승으로 메모리 부문 실적 개선을 이뤄낸 가운데 경쟁업체와의 초격차를 일구겠다는 각오다.

17일 관련업계에 따르면 삼성전자는 세계 최초의 3차원 칩인 V낸드 개발, 차세대 초고속 메모리인 20나노급 DDR4 모듈 양산 등 기술력을 앞세워 시장에서의 지배력을 더욱 강화하고 있다.

삼성전자는 16일 서울 신라호텔에서 ‘삼성 메모리 솔루션 포럼 2013’을 개최하고 △그린 DDR4 솔루션(D램) △그린 PCIe SSD 솔루션(스토리지) △고효율 그린 메모리 솔루션(서버시스템) 등 신제품을 공개했다.

그린 DDR4 솔루션은 서버시스템 속도를 2133Mb/s까지 구현해 기존 DDR3 성능 한계(1866Mb/s)를 뛰어넘었다. 성능은 15% 좋아졌으나 전력 소모량은 오히려 24% 감소했다는 것도 특징이다.

그린 PCIe SSD 솔루션은 데이터 전송속도가 4GB/s에 달해 기존 SATA SSD보다 6배 이상 빠른 속도를 자랑하며 에너지 효율은 2.6배가량 높아졌다. 고효율 그린 메모리 솔루션은 기존 DDR3와 HDD로 구성된 서버시스템보다 성능이 1.6배 향상됐으며, 중복 데이터 제거 기술로 스토리지 시스템 용량을 4배 늘렸다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 이날 “IT 투자 효율을 극대화한 혁신적인 메모리솔루션을 개발해 프리미엄 제품 경쟁력을 더욱 강화했다”고 말했다. 이어 “DDR4과 PCIe SSD는 현재 대형 고객사에 기본 샘플이 전달돼 기술 검증 완료단계에 와 있다”며 “내년 초부터는 시장에서 (제품을) 직접 보고 사용할 수 있을 것”이라고 설명했다.

여기에 삼성전자는 3차원 V낸드 양산에 나서며 프리미엄 메모리 시장 지배력 확대에도 주력하고 있다.

시장조사업체 IHS아이서플라이에 따르면 전체 낸드 시장에서 3D V낸드의 점유율은 올해 말 0.4%에서 내년 5.2%, 2015년 30.2%, 2016년 49.8%, 2017년 65.2%로 매년 급성장할 전망이다. 상용화 3년여만에 기존 물량의 절반을 대체하고, 2017년에는 주력 제품으로 자리잡을 것이라는 분석이다.

한편, 삼성전자의 AP(애플리케이션 프로세서) 부분 점유율이 후퇴하면서 차세대 먹거리로 기대를 받던 시스템 반도체 부문에 대한 우려감은 높아지고 있다. 물론 자체 AP 외에 파운드리(위탁생산)하는 AP도 많지만, 시스템 반도체 분야의 체질 강화를 위해서는 더욱 다양한 제품군으로 시장을 공략해야 한다는 지적이다.