[이투데이-산교타임즈 특약] 26-② 공장 더 짓고 양산 늘리고… 일본 반도체 설비투자 20% 늘어

도시바, 욧카공장 확대 3차원 낸드 양산 준비… 소니, CIS 주력 나가사키테크 후면 공정 강화

일본 반도체 대기업 11개사의 2013년도 설비투자액은 전년도에 비해 20% 늘어난 3900억엔(약 4조6544억원)으로 예상된다.

세계 반도체 설비투자의 60%를 인텔·TSMC·삼성전자가 차지하고 있는 것과 마찬가지로 일본에서도 도시바·소니·니치아화학 등 상위 3개사가 70%를 장악하고 있다.

NAND 플래시의 미세화 투자에 속도를 내고 있는 도시바는 19nm 프로세스의 양산을 확대하는 동시에 욧카공장 제5 제조동의 새 건물 건설비용과 BiCS라 불리는 3차원 NAND 양산의 채비도 갖추고 있다. 히메지공장에서는 SiC 파워 반도체를 월간 100만개 생산할 수 있는 라인을 구축하는 등 파워 반도체 부문도 강화할 방침이다.

상보형금속산화반도체(CMOS) 이미지센서(CIS)의 양산에 주력하고 있는 소니는 나가사키테크에서 후면공정의 강화에 지속적으로 나선다. 당초 계획은 9월말까지 CIS 전체의 월간 생산능력을 300mm 환산, 5만장에서 6만장으로 높일 예정이지만 업계에서는 “당초 일정보다 확충 기반이 녹록지 않아 여름까지는 지켜볼 것”이라는 전망도 나오는 만큼 수급 동향을 예의주시할 것으로 보인다.

오는 2015년에 LED의 연간 생산능력을 2011년 대비 4배인 1000억개로 높일 계획을 세우고 있는 니치아화학은 2012년부터 설비투자를 줄였지만 IC 메이커 이상의 투자를 계속하기로 했다. 특히 4K2K TV용 백라이트에 대한 대응이 시급하다고 판단해 조립 공정을 중심으로 강화할 예정인 것으로 알려졌다.

한편 후지쯔세미콘은 미에공장에서 55nm 제품에, 파나소닉은 2013년도 후반 우오즈공장의 GaN 파워 디바이스의 신제품 출시에 투자하지만 투자총액은 2012년도 수준을 웃돌지는 않는다.

샤프도 후쿠야마공장에서 GaN 파워 디바이스를 연내에 양산할 예정이지만 수요 동향에 따라서는 카메라 모듈의 조립을 확충할 가능성도 있다.

롬은 롬요코하마에서 200mm 및 300mm로 생산하고 있는 제품을 중국의 300mm 파운드리, 상하이 호와리 마이크로일렉트로닉스에 순차적으로 이관, 다른 미세화의 경쟁력을 높인다.

파워 반도체 메이커도 설비 투자에 적극적이다. 미쓰비시전기는 2014년 2월 준공을 목표로 파워 디바이스 제작소 내에 설계기술동을 신설 중이다. 투자액은 약 25억엔. 웨이퍼 공정에서는 수요 회복에 따라 구마모토 공장의 가동률 향상을 우선할 것으로 보인다.

후지전기는 마쓰모토공장에서 SiC 6인치 라인, 야마나시공장에서 실리콘 8인치 라인을 각각 10월에 가동시킬 예정이다. 후공정에서는 중국 심천에 파워모듈 건물을 건설 중으로, 연내에 완성해 2013년도 후반이나 2014년도 내에 가동을 개시할 방침이다.

산켄전기는 2013년도에 일본과 해외에 50억엔씩을 투자한다. 해외에서는 미국 폴라세미콘덕터의 제3 제조동에 설비를 반입한다. 3기로 나눠 실시할 예정으로 이번이 첫 번째다. 후공정을 담당하는 중국 다이롄공장에서는 일부 설비이관으로 커스텀 패키지 생산을 강화한다. 태국에서 신공장도 건설키로 하는 등 구체적인 일정을 잡고 있다.

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