삼성전자, 20나노급 64Gb 내장메모리 개발

차세대 프리미엄급 제품 양산으로 시장 성장 주도

삼성전자가 20나노급 64Gb(기가비트)낸드 플래시 기반의 64GB(기가바이트) 고성능 내장메모리(eMMC, embedded Multi Media Card)를 개발했다.

삼성전자는 29일 대만 타이베이에서 개최한 '삼성 모바일 솔루션 포럼(Samsung Mobile Solutions Forum) 2011'에서 두께는 1.4mm, 무게는0.6g에 불과하지만 1만6000곡의 MP3 파일에 해당하는 대용량 데이터 저장이 가능한 64GB 내장메모리(eMMC)를 선보였다.

이 제품은 20나노급 64GB eMMC 제품은 최고 성능의 프리미엄 모바일 기기에 적합한 초고속 솔루션으로, 랜덤 쓰기속도에서 현재까지의 제품 중 가장 빠른 속도인 400 IOPS(Input/Output per Second)를 구현하여 기존 30나노급 64GB eMMC 제품의 100 IOPS 대비 4배나 빨라졌다.

또 연속 읽기속도·쓰기속도에서도 기존 고성능 외장메모리 카드(24MB/s, 12MB/s) 대비 3배 이상 빠른 80MB/s, 40MB/s를 구현해 제품 경쟁력을 더욱 강화했다.

삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 전략마케팅팀 김명호 상무는 "금년 중에 업계 최고 성능의 20나노급 64GB eMMC를 양산해 프리미엄급 내장 메모리 카드 시장을 더욱 확대하게 됐다"며 "향후에도 모바일 기기 업체에게 차세대 프리미엄급 고성능 eMMC 제품을 적기에 양산해 모바일 스토리지 시장에서 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자내년에 JEDEC eMMC 4.5 표준을 적용, 20나노급 64GB eMMC 제품 대비 성능을 두 배로 높인 차세대 프리미엄급 대용량 내장메모리 카드를 양산한다는 방침이다. 이를 통해 내장 메모리 카드 시장을 더욱 확대, 낸드플래시 시장을 지속 성장시켜 나갈 예정이다.