삼성전자, 글로벌 팹동기화 확대

삼성전자가 위탁생산(파운드리) 업체인 ‘글로벌 파운드리스’와 28나노 반도체 기술 협력을 확대한다.

삼성전자는 1일 글로벌 파운드리스와 제조 공장(팹·FAB·Fabrication Facility)을 동기화해 고성능·초절전 28나노미터(nm) 하이케이메탈게이트(HKMG) 기술 기반 반도체칩 생산 라인을 확대한다고 밝혔다.

28나노 HKMG는 모바일 기기를 위해 개발된 기술로, 이 기술이 적용된 제품은 기존 45나노미터 공정 제품에 비해 △유효 전력 60% 감소 △속도 55% 증가하는 성능을 갖는다.

협력은 삼성전자·글로벌파운드리스가 작년 IBM·ST마이크로일렉트로닉스사와 공동 연구해, 저전력 28나노미터 HKMG 기술 팹 동기화를 발표한 데 이은 것이다.

삼성전자 관계자는 "이번에는 기존 동기화 기술에 기술적 다양성을 더해, 고성능 스마트폰·태블릿 PC·노트북에 맞는 작동 주파수를 확장한 것이 특징"이라며 "트랜지스터와 메모리 최저 수준의 전력 누설을 달성해 모바일 환경에 적합하도록 배터리 수명을 늘렸다"고 말했다.

동기화는 글로벌 파운드리스가 △독일 드레스덴 팹1 △미국 뉴욕주 사라토가 카운티 팹8에 적용하며, 삼성전자는 △기흥 S1 △오스틴의 S2에 도입한다.

팹이 동기화하면 반도체 생산이 세계적으로 일관되게 보장되고, 디자인에서도 고객의 요청을 수정할 필요가 없다.

삼성전자 측은 "4곳의 팹은 파운드리 업계에 첨단 기술을 제공하는 가장 글로벌한 규모를 이룰 것"이라며 "긴밀한 공동작업과 공급체계의 불확실성을 제거해 고객에게 새로운 선택권을 부여할 것"이라고 설명했다.

민정기 삼성전자 파운드리 마케팅팀 상무는 "이번 협력으로 고객업체들에 스마트하고 혁신적인 파운드리 솔루션을 제공하게 됐다"며 "공정은 데스크톱 컴퓨터·모바일 기기간 경계를 완전히 허무는 첫 번째 반도체 기술이 될 것"이라고 말했다.

짐 쿠펙 글로벌파운드리스사 판매·마케팅 선임 부사장은 "이 새로운 체제를 이용하는 고객업체들은 단시간에 대량 생산 및 공급을 보장받을 수 있을 것"이라고 강조했다.