브릿지룩스, GaN-on-Silicon 기반 LED의 와트당 루멘 성능 혁신

사파이어 기반 LED의 밝기에 한층 저렴한 비용 실현

LED 조명 기술 및 솔루션 개발업체인 브릿지룩스는 기존에 달성했던 GaN-on-Si(질화갈륨- 온 - 실리콘)의 와트 당 루멘 값 기록을 또 한번 갱신했다고 18일 밝혔다.

브릿지룩스는 자사의 버퍼 레이어(buffer layer) 특허 기술을 이용해 상온에서 보잉(bowing) 현상 없이 8인치 실리콘 웨이퍼 상에서 균열 없는 GaN층 성장 구현을 성공적으로 시연했다.

이로써 실리콘 기판에서 GaN LED의 성능 및 생산력 가속화를 추진해 나가는데 있어 업계 주도적인 역할을 더욱 확대해 나가게 됐다.

이번에 브릿지룩스가 달성한 성능은 오늘날의 첨단 사파이어 기반 LED와도 경쟁이 충분히 가능한 수준이다. Cool white LED는 4350K CCT에서 160Lm/W의 높은 효율을 제공하며, GaN-on-Si 칩에서 생성된 Warm white LED는 2940K의 색 온도 및 80의 CRI에서 125Lm/W를 제공한다.

LED는 보통 사파이어 또는 탄화규소 기판을 출발 재료로 사용하는데, 이들은 실리콘에 비해 가격이 비싸다. 이로 인한 높은 생산 비용은 가정 및 상업용 빌딩에서의 LED 조명 보급 확대에 걸림돌이 되고 있다.

그러나 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 기술을 이용하면 최신 반도체 제조에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 현재 이용되고 있는 방식보다 비용 측면에서 75% 가량 개선이 가능하다. 브릿지룩스의 공정 기술을 이용하면 LED 제조 비용을 대폭 절감하고 기존의 백색 조명 기술에 대한 경쟁력을 갖출 수 있을 것으로 기대된다.

브릿지룩스의 스티브 레스터(Steve Lester) CTO는 "사파이어 기반의 상용 LED 양산에서 실리콘 기판으로의 전환을 촉진하기 위해 앞으로 더욱 적극적으로 GaN-on-Si 공정을 개발해 나갈 계획"이라며 "브릿지룩스의 첫 번째 상용 GaN-on-Si 제품은 향후 2년 내로 시장에 선보일 예정"이라고 밝혔다.