차세대메모리 공동연구센터 출범

산학연 공동으로 STT-MRAM 개발착수

차세대 메모리 주력제품으로 유력시되는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque - Magnetic Random Access Memory)을 기업과 학계가 함께 개발할 공동연구센터가 문을 열고 개발사업에 착수했다.

지식경제부는 26일 서울 한양대에서 임채민 1차관과 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 정부와 업계, 학계 인사 150여 명이 참석, 차세대 메모리시장 선점을 위한 차세대 메모리 산학연 공동연구센터 개소식을 했다고 밝혔다.

정부와 삼성전자, 하이닉스가 공동 출연해 마련된 이 센터는 차세대 메모리 제품인 STT-MRAM에 대한 연구·개발(R&D)을 진행하게 된다.

STT-MRAM은 자성 재료의 전자의 자화 방향 변화를 통한 전기적 저항 차이가 발생되는 현상을 정보 저장에 이용한 메모리다.

특히 연구센터에는 대학으로는 세계에서 두 번째로 300mm급 반도체 장비가 구축됐으며 대학 연구인력뿐 아니라 삼성전자와 하이닉스의 연구진이 상주해 공동 R&D 작업을 수행하게 된다.

연구센터는 R&D 작업을 통해 원천기술 분야에서 일본과의 격차를 줄이고 STT-MRAM을 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

또 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45%를 점유하는 한편 자성 박막 공정 장비 등 경쟁력도 확보한다는 계획이다.

지경부 측은 "우리나라가 세계 최고의 공정기술을 바탕으로 1993년 이후 메모리 반도체 세계 1위를 차지하고 있으나 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있어 앞으로 차세대 메모리의 원천기술을 확보하면 현재의 메모리 반도체 생산기지에서 R&D 중심기지로 도약이 가능할 것"이라고 전망했다.

▲메모리 시장 동향(예측)