SK하이닉스, ‘반도체의 날’ 5명 수상…권재순 부사장 동탑산업훈장

HBM 양산·차세대 D램·낸드 기술 경쟁력 강화 공로
장관 표창 3명·한국반도체산업협회장상 1명 수상

▲(왼쪽부터) SK하이닉스 송현종 사장(Corporate Center), 이승철 TL(기반기술센터), 권재순 부사장(M&T 부문장), 박형윤 팀장(M&T), 김보연 팀장(DRAM 개발), 성문수 팀장(NAND 개발) (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 ‘제19회 반도체의 날’ 기념식에서 고대역폭메모리(HBM) 양산과 차세대 메모리 기술 개발 등의 공로로 동탑산업훈장을 비롯해 5개의 포상을 받았다.

SK하이닉스는 21일 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 열린 기념식에서 권재순 부사장(M&T 부문장)이 동탑산업훈장을 수훈했다고 22일 밝혔다. 김보연 팀장(D램 개발), 박형윤 팀장(M&T), 이승철 TL(기반기술센터)은 산업통상부장관 표창을, 성문수 팀장(낸드 개발)은 한국반도체산업협회장상을 받았다.

반도체의 날은 1994년 우리나라 반도체 수출이 100억 달러를 넘어선 것을 기념해 제정됐다. 산업통상부와 한국반도체산업협회는 매년 10월 기념식을 열어 한 해의 성과를 함께 돌아보고, 산업 발전에 기여한 유공자를 포상해 오고 있다.

권 부사장은 HBM 양산 체계를 구축하고 생산성과 수율을 높여 SK하이닉스의 HBM 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 10나노급 6세대(1c) D램 개발·양산과 321단 낸드 적기 양산 체계 구축에도 힘을 보탰다.

소재·부품·장비 국산화와 협력사 동반성장도 추진했다. 생산 현장에서는 M15X의 HBM 생산시설 조기 가동과 양산 기간 단축을 이끌었다. 전사 인공지능 전환(AX) 전담 조직 신설과 전문가 양성을 통해 자율 운영 팹으로의 전환도 추진하고 있다.

김보연 팀장은 서버용 고용량 D램의 핵심 설계 기술을 개발한 성과를 인정받았다. 2018년 10나노급 2세대(1y) 16Gb 3DS DDR4 기술을 개발한 데 이어 DDR5 설계 기술과 회로 설계 체계를 고도화했다. 3DS는 D램 칩 2개 이상을 수직관통전극(TSV)으로 연결하는 기술이다.

박형윤 팀장은 238단 이상 고적층 낸드의 수율 개선을 이끌며 차세대 3D 낸드 양산 안정화에 기여했다. 극저온 기반 공정과 장비 제어 기술을 도입해 품질을 개선하고 불량률을 낮췄으며, 공정 자동화와 스마트팩토리 표준화도 추진했다.

이승철 TL은 반도체 장비 제어 소프트웨어와 실시간 데이터 플랫폼을 자체 개발해 국산 장비의 경쟁력을 높였다. 중소·중견 장비사와 공동으로 장비를 개발하고, 산학 협력으로 개발한 AI 스케줄러 기술의 특허를 무상 양도하는 등 상생 기반을 마련했다.

성문수 팀장은 차세대 낸드 설계 플랫폼과 321단 낸드 개발에 참여한 공로로 한국반도체산업협회장상을 받았다. 기존 플랫폼을 활용해 투자비를 줄이면서 용량을 높였으며, 저전력·고성능·고용량 낸드 제품과 셀 밀도를 개선하는 신규 셀 구조 개발에도 참여하고 있다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 수상은 각자의 자리에서 기술의 한계 극복을 위해 힘써온 구성원들의 노력이 인정받은 결과”라며 “앞으로도 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 대한민국 반도체 산업의 경쟁력을 높이는 데 기여하겠다”고 말했다.