SK하이닉스, TSMC 테크놀로지 심포지엄 참가… HBM4-차세대 패키징 기술 공개

트럼프발 관세 위협에 TSMC와 기술 협력 강화
HBM4·첨단 패키징 전면에… AI 시대 주도권 경쟁 본격화
맞춤형 HBM 전략으로 정면 돌파

트럼프 행정부의 무역 전쟁으로 글로벌 반도체 산업이 격랑에 휘말렸다. 관세 압박과 공급망 재편이 가속화되는 가운데, SK하이닉스는 대만 TSMC와의 기술 공조를 바탕으로 정면 돌파에 나선다.

10일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아 산호세에서 열리는 ‘TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄(Technology Symposium)’에 참가해 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)와 차세대 패키징 기술을 공개할 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 심포지엄에서 TSMC의 첨단 공정과 결합한 HBM4 기술을 중심으로, 차세대 패키징 경쟁력을 선보일 계획”이라고 밝혔다.

TSMC가 주최하는 이 행사는 글로벌 반도체 기업들이 최신 기술 로드맵과 협력 전략을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 인공지능(AI) 시대의 핵심 인프라로 떠오른 HBM 기술력을 기반으로 시장 주도 이미지를 더욱 강화한다는 방침이다.

SK하이닉스는 자타공인 HBM 최강자다. HBM 시장의 급성장세를 발판 삼아 올해 1분기 글로벌 D램 시장 점유율 1위에 처음 등극했다.

▲SK하이닉스 HBM4 12단 샘플 (사진제공=SK하이닉스)

특히 업계 최초로 HBM4 12단 샘플을 고객사에 공급하고 인증 절차에 착수했다. 하반기 중 양산 준비를 마무리할 예정이다. HBM4는 기존 HBM3 대비 대역폭, 용량, 전력 효율 면에서 비약적인 성능 향상이 기대되는 제품이다.

대역폭은 메모리 한 개 칩에서 1초 동안 전송할 수 있는 정보량을 뜻한다. 기존 5세대(HBM3E)까지는 1024개의 수직 통로를 통해 데이터를 주고받았지만, HBM4부터는 2048개로 2배 확대됐다. 이는 2차선 도로가 4차선 고속도로로 확장된 것과 같다. 데이터 전송 속도가 획기적으로 빨라진다. 실제 HBM4는 풀HD 영화 400편 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. HBM3E 대비 약 60% 이상 향상된 속도를 자랑한다.

기술 구현 방식에서도 변화가 있다. SK하이닉스는 HBM3E까지는 자체 공정을 통해 ‘베이스 다이(Base Die)’를 제조했으나, HBM4부터는 TSMC의 첨단 파운드리 공정을 적용해 생산한다. 베이스 다이는 GPU와 직접 연결돼 메모리 전체를 제어하는 핵심 부품이다. 초미세 공정을 적용하면 다양한 연산 기능과 고객 맞춤형 기능을 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이를 통해 고객별 요구에 최적화된 HBM 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련했다.

이번 심포지엄에서는 HBM4와 함께 적용되는 TSMC의 차세대 패키징 공정 ‘칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(Chip-on-Wafer-on-Substrate, CoWoS)’ 기술도 소개된다. CoWoS는 고대역폭 메모리와 고성능 로직 칩 간 통신 속도를 극대화하는 패키징 기술이다. AI 반도체 성능의 핵심축으로 주목받고 있다.

업계에서는 SK하이닉스와 TSMC 간 기술 동맹이 더욱 강화되고 있다는 분석이 나온다. 글로벌 공급망 재편과 지정학적 리스크가 커지는 상황에서 양사의 협력은 단순한 고객–공급사 관계를 넘어 전략적 파트너십으로 진화하고 있다.

특히 트럼프 대통령은 반도체 제조의 미국 내 회귀(리쇼어링)를 강하게 요구하고 있다. TSMC가 미국 내 파운드리 투자를 확대하는 배경에도 이 같은 정책 기조가 깔렸다.

SK하이닉스는 이러한 지정학적 변화 속에서 HBM 등 고부가 메모리 시장에서의 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다. 또 미국 현지 고객사 및 협력사들과의 관계를 돈독히함으로써 글로벌 반도체 경쟁에서 우위를 확보하겠다는 전략이다.