[특징주] 시지트로닉스, 국내최초 1200V급 차세대 '산화갈륨 반도체' 개발 성공 소식에 강세

시지트로닉스가 강세다. 국내최초로 1200V급 산화갈륨 반도체를 개발하는 데 성공했다는 소식이 들리면서다.

22일 오전 9시 7분 현재 시지트로닉스는 전 거래일 대비 10.43% 오른 1만690원에 거래 중이다.

전자신문 등에 따르면, 시지트로닉스(대표 심규환·조덕호)는 차세대 전력용반도체로 각광받고 있는 산화갈륨(Ga2O3)을 활용한 초고속 스위칭용 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 개발했다고 밝혔다.

산화갈륨은 실리콘카바이트(SiC)와 질화갈륨(GaN)보다 더 넓은 에너지 밴드폭과 높은 절연파괴전계 특성을 가진 와이드밴드갭(WBG) 물질에 해당한다. 밴드갭은 전자가 모여있는 '전도대'와 전자가 비활성된 '가전자대' 영역 간의 에너지 폭을 말한다. 밴드갭이 넓을수록 전자의 움직임이 자유로워져 더 높은 전압과 온도, 주파수에서 동작할 수 있게 된다.

산화갈륨 전력반도체는 미국·일본 등 세계적으로 활발히 연구되고 있는 차세대 전력변환용 반도체의 핵심 소자다. 기존 제품의 단점인 낮은 항복전압(VB)과 높은 누설전류(IL)의 난점을 극복하고 차별화한 고전압·고전류·고온·고효율화 응용이 가능하다. 전력변환기와 모터 드라이브, 인버터 등 전기자동차 시장에서 주목받고 있다.

김종원 시지트로닉스 마케팅 이사는 “이번 성과가 획기적인 이유는 산화갈륨 벌크 기판의 대구경화를 통해 대전력 스위칭을 제어하는 성능을 갖춰 실리콘카바이트와 질화갈륨과는 차별화된 응용분야로 확장할 있기 때문”이라며 “향후 다양한 산업계의 고객과 협의해 최적화한 제품으로 양산화를 추진하겠다”고 말했다.

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