인텔, 업계 최초 '하이-NA EUV' 설치…1나노 경쟁 앞서

(자료제공=인텔)

인텔이 내년부터 하이(High)-NA 극자외선(EUV) 노광장비를 도입한다. 하이-NA EUV는 2나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하 초미세 공정에 필수적인 장비로 꼽힌다. 경쟁사보다 차세대 공정 기술에 앞설 것이란 평가가 나온다.

19일 업계에 따르면 인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 공장에 하이-NA EUV 장비 설치를 완료했다.

네덜란드 기업인 ASML가 생산하는 하이-NA EUV는 2㎚ 이하 차세대 공정에 꼭 필요한 장비다. 하이-NA EUV를 도입한 것은 인텔이 처음이다. 앞서 인텔은 2월 업계 최초로 ASML로부터 이 장비를 공급받은 바 있다.

마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우는 “하이-NA EUV 추가로 업계에서 가장 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐다”며 “내년 이후 인텔 18A(1.8㎚)를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 말했다.

인텔은 이 장비를 기존 EUV 장비와 함께 내년 인텔 1.8㎚ 제품 검증을 시작으로, 1.4㎚ 생산에 이르기까지 첨단 칩 개발과 제조에 사용할 계획이다. 인텔은 이 장비가 기존 EUV 장비 대비 최대 1.7배 높은 미세 노광이 가능할 것이라고 설명했다. 또 반도체 집적도도 2.9배 향상될 것으로 예상했다.

한편 삼성전자는 2027쯤에나 하이-NA EUV를 도입할 것으로 알려졌다. 로드맵대로라면 인텔보다 초미세 공정에서 2년가량 뒤처지는 셈이다.