곽노정 SK하이닉스 사장 “내년 HBM 수요 타이트…1등 경쟁력 유지할 것”

▲곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 이천 본사에서 열린 제76기 정기주주총회에서 발언하고 있다. (자료제공=SK하이닉스)

곽노정 SK하이닉스 사장이 고대역폭메모리(HBM) 수주 전망에 관해 “내년에도 HBM은 굉장히 수요가 타이트하다”고 말했다.

곽 사장은 27일 오전 SK하이닉스 이천 본사에서 열린 제76기 정기 주주총회에서 “내부분석과 고객과의 소통을 통해 내년도 사업을 준비하고 있다”며 이같이 밝혔다.

곽 사장은 이날 HBM에 대한 강한 자신감을 연신 내비쳤다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 지난해 SK하이닉스는 글로벌 HBM 시장에서 점유율 53%를 기록하며 업계 1위를 달리고 있다.

그는 “우리 회사의 HBM 사업이 현재 성과를 달성하기까지 10년 이상의 노력이 있었다”며 “2023년 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장해 압도적인 시장 점유율을 기록했다”고 설명했다.

곽 사장은 “HBM은 초기 원가가 높고 시장 수요가 제한적이어서 사업성이 높지 않았으나 우리는 HBM 기술에 대한 확신을 갖고 포기하지 않았다”며 “혼자 힘으로 개발한 것이 아니라 장비·소재 등 비즈니스 파트너와 협력을 통해 어드밴스드 매스리플로 몰디드언더필(MR-MUF) 공법을 개발했고, 이를 통해 경쟁사보다 우수한 성과를 보였다”고 강조했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 경쟁사인 삼성전자는 D램을 쌓을 때 칩 사이에 비전도성 필름을 넣는 열압착 비전도성 접착 필름(NCF) 방식을 사용하고 있는데 이를 겨냥한 발언으로 보인다.

그는 고성능 메모리에 대한 고객 니즈가 증가함에 따라 프리미엄 제품 라인업도 지속적으로 구축해 시장을 선도하겠다고 했다.

곽 사장은 “기존 MR-MUF보다 열 방출 성능이 10% 향상된 어드밴스드 MR-MUF를 통해 12단 HBM3를 개발했고, 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E는 이달부터 공급을 시작했다”며 “앞으로도 AI 선도 기업과의 긴밀한 파트너십을 기반으로 HBM 1등 경쟁력을 지속적으로 유지할 것”이라고 말했다.