[특징주] 시지트로닉스, 삼성전자 투자 시동 건 GaN E-mode 구현 소식에 상승세

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 화합물반도체 대대적인 투자에 나서고 있는 가운데 시지트로닉스가 한국나노기술원과 함께 최초로 GaN 전력반도체 모드(E-mode) 소자 최초 구현 했다는 소식에 상승세다.

21일 오후 1시 10분 현재 시지트로닉스는 전일대비 1540원(7.85%) 상승한 2만1150원에 거래 중이다.

이 날 한국나노기술원은 차세대 전력 반도체용 질화갈륨(GaN) 화합물반도체 에피웨이퍼 소재 국산화 플랫폼을 구축했다고 밝혔다.

GaN 화합물반도체는 기존 실리콘 반도체보다 2~3배 이상 큰 전압을 견딜 수 있고, 고온에서도 정상 작동하는 장점이 있다.

특히 기술원은 ‘GaN 전력소자’ 연구과제를 공동으로 수행 중인 반도체 소자 제조기업 시지트로닉스에 전력 반도체 제조용 6인치 GaN on Si 에피소재 기판을 제공해 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 E-mode 전력 반도체 소자를 최초로 구현하는 성과를 거뒀다고 설명했다.

이같은 소식에 주식시장에서는 시지트로닉스에 매수세가 몰리며 상승하는 것으로 풀이된다.

삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등 국내 주요 업체들은 8인치 GaN 파운드리 사업을 진행하겠다는 목표다. 삼성전자는 올해 초에도 8인치 GaN 및 SiC 관련 설비 투자에 1000~2000억 원을 투입했다.

GaN은 기존 실리콘 반도체 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높아 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가할 것으로 전망되는 차세대 전력반도체 소재다.

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