삼성전자, 40나노 공정으로 8기가 플렉스 원낸드 출시

원낸드 제품 생산 지난해 대비 2배 증대

삼성전자가 40나노급 (1나노:10억분의 1미터) 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드를 개발했다고 10일 밝혔다.

삼성전자는 이 달부터 8기가 플렉스 원낸드 양산에 들어가 고용량 하이-엔드 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 예정이다.

40나노 공정을 적용하면 기존 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품에 비해 약 2.8배의 생산성 향상이 가능하다. 이에 따라 삼성전자는 올해 원낸드(OneNANDTM)제품도 40나노급 공정으로 1기가/2기가/4기가 제품을 양산해 타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.

이번에 개발된 8기가 플렉스 원낸드 제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 플렉스 원낸드의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로 디자인할 수 있다.

뿐만 아니라 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어, 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 개발 편의성을 극대화한 것이 특징이다.

한편 삼성전자는 차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정이며, 이를 기반으로 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나갈 계획이다.