삼성전자, 세계최초 4기가 DDR3 D램 개발

입력 2009-01-29 11:14

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양산시기는 불투명…원가절감 효과 반감 될 듯

삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발하면서 기술우위를 확인했다. 하지만 양산시기는 이례적으로 늦춰질 것으로 전망된다.

삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월 만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다고 29일 밝혔다.

4기가비트 DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써, 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다는 것이 회사측의 설명이다.

하지만 삼성전자는 4기가비트 DDR3 D램의 양산시기는 늦출 예정이다. 메모리시장 상황이 안 좋기 때문이다.

삼성전자 관계자는 “시장 상황 보면서 양산시기를 결정할 예정”이라면서 “개발 후 양산까지 1년이 걸리는 때도 있다”며 양산시기를 상당히 늦출 것임을 시사했다.

이는 삼성전자가 지난해 9월 개발한 2기가비트 DDR3 D램을 두 달 후인 11월부터 양산에 들어간 것과 대비된다.

전문가들은 최근의 PC시장 등에서 4기가 DDR3의 채택을 서두를만한 이슈가 없다고 설명했다.

교보증권 구자우 연구원은 “신제품을 개발하면 단가가 구제품 보다 올라가게 되는데 DDR2도 충분히 싼 현재의 시장상황에서는 DDR3라고 해서 프리미엄 가격을 받을 수 없을 것”이라고 말했다.

DDR2가 시장의 주류인 상황에서 더더군다나 4기가비트 DDR3를 구입할 필요가 없다는 설명이다. 이에 따라 삼성전자의 4기가비트 DDR3 D램 개발은 한동안 빛을 보지 못할 전망이다. 또 50나노 공정을 이용한 4기가비트 DDR3 D램의 양산시기 지연에 따라 원가경쟁력 강화효과도 반감될 공산이 커졌다.

4기가비트 DDR3 D램은 현재 판매중인 2기가비트 DDR3 D램에 비해 30%~40%의 원가절감 효과가 있다는 것이 업계의 설명이다. 원가경쟁력 유지ㆍ확대가 급한 삼성전자로서는 아쉬운 대목이다.

한편 삼성전자는 최근 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있다면서, 이에 따라 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 기대된다고 밝혔다.

시장조사기관 IDC는 올해 DDR3의 수요가 약 38억개로 전체 D램 시장에서 29%의 비중을 차지할 것이라고 전망했다.


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