삼성전자, 50나노급 2기가 DDR3 인증 획득

삼성전자가 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 밝혔다.

이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM (Unbuffered DIMM)

모듈 제품이다.

또한 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 전제품의 인증이 완료될 예정이다.

50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 삼성전자가 유일하며 이는 D램업체 중 가장 앞선 것으로, 기술의 우수성과 제품력의 우위를 확실하게 보여 주는 것이다.

50나노급 2기가비트 DDR3는 '07년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1333Mbps)의 속도를 구현하고, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.

또한 1기가비트 DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을

절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동시 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 크게 향상된다.

한편 기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 패키지 적층(DDP: Double Die Package) 기술을

적용해야만 고용량 모듈 제작이 가능했다.

이에 비해 2기가비트 DDR3 D램은 DDR2 D램 대비 크기가 대폭 축소돼 별도의 적층 기술 없이 8GB RDIMM, 4GB

SODIMM/UDIMM 제품 양산이 가능해진 최초의 제품이다. 이에 따라 고용량 메모리의 시장 확대를 위한 원가 경쟁력도 강화됐다.

이번 공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품은 안정적 채용 기반을 확보하였으며, 본격적인 수요 증가가 예상된다.

삼성은 앞으로도 고용량ㆍ고성능 제품을 선행 출시함으로써 D램 시장을 확대하고, 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.