하이닉스, 낸드플래시메모리 감산

청주 M9 3Q도 가동중단

하이닉스반도체가 최근 심각한 폭락세를 보이고 있는 낸드플래시메모리의 생산량을 줄인다.

하이닉스 측은 1일 "3분기까지 청주 낸드 M9 생산라인의 가동을 중단할 계획이며 M11도 낸드 전용 라인으로 활용하려 했지만 낸드 생산량을 줄이고 D램의 후공정 라인을 넣을 수 있다"며 "최근 낸드값이 워낙 떨어져 낸드 보다는 중국 우시의 C2 등 300mm 웨이퍼 D램 생산 라인 투자에 집중할 계획"이라고 밝혔다.

하이닉스는 낸드플래시메모리를 M9 등 200㎜ 웨이퍼 57나노 공정을 통해 생산해 왔고 올해부터는 청주에 건설중인 M11 300㎜ 웨이퍼 48나노 공정을 통해 생산할 계획이었다.

그러나 하이닉스가 M9 라인의 가동을 멈추고 기존 라인에 비해 생산성이 월등히 뛰어난 M11 공장에서의 낸드 생산 목표치를 감축함에 따라 낸드 생산량은 크게 줄어들게 된다. 이 계획대로 감산할 경우 해당 감축량은 전세계 낸드 물량의 5％에 육박하는 큰 물량이 될 것으로 보고 있다.