인텔·마이크론, 메모리 칩 혁명...낸드보다 1000배 빠른 메모리 칩 개발

미 유타주 양사 합작 공장에서 연내 생산 예정…

미국의 반도체 기업인 인텔과 마이크론 테크놀로지가 현재 사용되는 낸드(NAND) 플래시 메모리보다 1000배 빠른 새 유형의 메모리 칩을 개발해 생산하기로 했다고 28일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ)이 보도했다.

이날 양사는 ‘3D 크로스 포인트(XPoint)’ 기술을 이용한 신형 메모리 칩의 시제품을 연내 미국 유타의 양사 합작 공장에서 생산해 일부 고객사에 공급하기로 했다고 밝혔다.

▲인텔과 마이크론이 공개한 '3D 크로스포인트(XPoint)' 기술. (사진제공=마이크론)

인텔과 마이크론이 연내 생산할 예정인 신형 메모리 칩은 전원 공급이 중단돼도 기억된 내용이 보존되는 ‘비휘발성 메모리’라는 점은 기존의 낸드 플래시 메모리와 같다. 하지만 속도와 수명이 훨씬 빠르고 길다는 것이 특징이다.

양사는 자료를 통해 “3D XPoint 기술은 메모리 기술의 돌파구이자 1989년에 낸드 플래시 도입 이후 25년여 만에 새로운 메모리 카테고리가 만들어지는 것”이라고 설명했다. 마크 애덤스 마이크론 사장은 “이것은 완전히 새로운 패러다임이며 낸드 플래시와 D램 등이 포함된 785억 달러(약 91조5702억원) 규모인 메모리 칩 시장에 파격적이고 큰 혁신을 일으킬 것”이라고 강조했다.

양사 관계자들은 신형 메모리 칩이 대규모 데이터에서 패턴을 찾아내야 하는 음성인식과 금융사기 탐지, 유전자 연구 등에 유용하게 쓰일 것으로 내다봤다.

신형 메모리 칩 개발과 생산 소식에 이날 두 회사의 주가는 급등했다. 미국 나스닥에서 인텔과 마이크론의 주식은 각각 2.15%, 9% 뛰었다.

한편, 양사의 발표에 대해 업계에선 “다른 반도체 기업 역시 차세대 비휘발성 메모리로 저항성 램(ReRAM), 자기저항성 램(M램) 등이 개발 중”이라며 “인텔과 마이크론의 3D XPoint 기술이 타사보다 나은 지 현재로선 판단하기 어렵고 내년이나 내후년에 그 실체를 알 수 있을 것”라는 회의론도 제기됐다.