하이닉스, 세계 최고속 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발

하이닉스반도체는 세계 최고속, 최소형의 512Mb 모바일 D램 개발에 성공했다고 4일 밝혔다. 이번 제품은 JEDEC 표준 규격에 따른 것으로 세계 최고속인 200MHz의 속도로 동작한다.

하이닉스의 512Mb 모바일 D램은 기존 제품보다 약 1.5배 가량 속도가 빨라진 것이 특징이다. 이번 개발된 512Mb(16MX32)의 경우, 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 1.6GByte를 처리한다.

하이닉스 관계자는 “휴대폰이 최근 3세대로 넘어가면서 DMB, 화상통화, 동영상 처리를 위해 요구되던 대용량, 고속화 조건을 충분히 만족 시킬 것으로 판단된다”고 설명했다.

패키지 크기 또한 8mm×10mm로 업계에서 가장 작은 크기를 유지했다. 이는 100원짜리 동전의 1/8 수준이다.

이 같은 초박형 사이즈로 소형화된 모바일 기기 시장에서 더욱 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 또한 하이닉스는 낸드플래시와 DRAM을 하나의 칩으로 만든 MCP(Multi Chip Package)에도 이번 제품을 적용할 예정으로 이럴 경우 부피는 더욱 작아져 슬림화 된 휴대폰을 만드는 데 유리하다.

하이닉스반도체 관계자는 “주요 모바일 칩셋 업체를 통한 세계 최초 인증이 마무리 단계에 돌입했으며, 현재 긍정적인 반응을 얻고 있다”며 "이번 제품 인증과 함께 향후 JEDEC 표준 규격을 선도해 나갈 수 있을 것으로 기대하고 있다"고 말했다.

하이닉스반도체는 이번 제품 출시를 계기로 모바일 D램에서의 기술력을 대내외적으로 과시하게 되었으며, 향후에도 초고속, 저전력, 대용량의 성능을 요구하는 모바일 D램 시장의 다양한 요구에 적극 부응하여, 모바일 제품의 개발과 판매를 강화할 예정이다.