아이피에스, 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착 방법 특허 취득

아이피에스는 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 25일 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "이번 발명은 박막을 구성하는 소스와 반응제 이외에 양질의 박막을 얻도록 하기 위하여 별도의 반응제(제1반응제-H2, 제2반응제-H2또는 H원자를 포함하는 화합물)와 플라즈마를 인가함으로써, 양질의 박막을 비교적 저온에서 형성할 수 있다"고 설명했다.

이어 "플라즈마가 제2반응제의 피딩과 동시에 또는 피딩이 진행되는 동안에 인가되어 피딩이 완료될 때 동시에 종료되도록 함으로써, 박막을 구성하는 소스 및 반응제를 구성하는 원소간의 결합이 깨지는 것을 방지할 수 있어 박막 내에 잔존물질의 함량이 높아지거나 원하지 않는 불순물의 함량이 높아지는 것을 방지함은 물론, 반응 부산물이 여기되어 형성이 진행 중인 박막과의 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있어 양질의 박막을 얻을 수 있다"고 덧붙였다.