아이피에스, USG 증착방법 관련 특허 취득

아이피에스는 25일 반도체 소자의 갭필을 이용하는 USG 증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "이번 발명은 USG를 증착하기 전에 미리 50Å이하의 두께에 유전율 30이하의 얇은 ALD 막을 증착함으로써,보이드 발생을 방지하는 것은 물론, 하지막 의존성을 배제시켜 USG 증착의 속도를 증가시키면서 또한 회로 속도 지연(RC delay)현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다"고 설명했다.